[发明专利]一种半导体加工用晶圆切割装置在审
| 申请号: | 202010635839.8 | 申请日: | 2020-07-03 |
| 公开(公告)号: | CN111730772A | 公开(公告)日: | 2020-10-02 |
| 发明(设计)人: | 顾骏 | 申请(专利权)人: | 顾骏 |
| 主分类号: | B28D5/02 | 分类号: | B28D5/02;B28D7/00;H01L21/67 |
| 代理公司: | 合肥市科融知识产权代理事务所(普通合伙) 34126 | 代理人: | 陈飞 |
| 地址: | 241200 安徽省*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 半导体 工用 切割 装置 | ||
本发明涉及一种半导体加工用晶圆切割装置,属于半导体加工设备技术领域,包括用于安装晶圆的切割台和用于安装切割机构的切割架,所述切割机构包括第一切割轮和旋转电机,所述旋转电机固定安装在切割架上,所述第一切割轮上固定安装有第一切割刀,所述第一切割刀包括多个切割深度不同的第一刀片。本发明通过设置多个错开设置的切割深度不同的第一刀片和第二刀片所组成的第一切割刀和第二切割刀安装在第一切割轮和第二切割轮,并设置调节机构来调节两个切割轮之间的距离,从而通过一次切割实现两次彻底切割,且每次彻底切割均为多次切割,大大提高了切割效率,保证了切割质量,实用性强。
技术领域
本发明涉及半导体加工设备技术领域,具体是一种半导体加工用晶圆切割装置。
背景技术
半导体指常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料,在集成电路、消费电子、通信系统、光伏发电、照明、大功率电源转换等领域都有应用。晶圆指制造半导体晶体管或集成电路的衬底(也叫基片),由于是晶体材料,其形状为圆形,所以称为晶圆。
在晶圆加工过程中需要使用切割装置,而现有的切割装置在进行切割时,在同一切割道用同一把刀分4-5次切割切断方法,单刀多次切割切断方法就是采用同一刀把碳化硅晶圆同一切割道分4-5次切透的方式进行加工,不仅切割效率低,而且切割质量得不到保证,因此需要进行优化。
发明内容
本发明的目的在于提供一种半导体加工用晶圆切割装置,以解决上述背景技术中提出的问题。
为实现上述目的,本发明提供如下技术方案:
一种半导体加工用晶圆切割装置,包括用于安装晶圆的切割台和用于安装切割机构的切割架,所述切割机构包括第一切割轮和旋转电机,所述旋转电机固定安装在切割架上,所述第一切割轮内安装有滑杆,所述滑杆两端均设置切割架内并与其滑动连接,所述滑杆内安装有与其螺纹连接的螺纹杆,所述螺纹杆一端与切割架转动连接,另一端与旋转电机的输出端固定连接,所述第一切割轮上固定安装有第一切割刀,所述第一切割刀包括多个切割深度不同的第一刀片。
作为本发明的进一步技术方案:所述切割机构还包括第二切割轮,所述第二切割轮上安装有第一切割刀,所述第二切割轮通过调节机构与第一切割轮相连。
作为本发明的更进一步技术方案:所述调节机构包括调节柱,所述调节柱一侧固定安装有第一螺纹柱,另一侧固定安装有第二螺纹柱,所述第二螺纹柱的螺纹方向与第一螺纹柱的螺纹方向相反,所述第一螺纹柱远离调节柱一端贯穿第一切割轮并与其螺纹连接,所述第二螺纹柱远离调节柱一端贯穿第二切割轮并与其螺纹连接。
作为本发明的再进一步技术方案:所述切割架内开设有限位槽,所述滑杆设置在限位槽内并与其滑动连接。
作为本发明的再进一步技术方案:所述第一切割轮和第二切割轮远离第一切割刀一侧固定安装有第二切割刀,所述第二切割刀包括多个切割深度不同的第二刀片,所述第一切割轮和第二切割轮均套设在滑杆外部并与其滑动连接。
作为本发明的再进一步技术方案:所述滑杆表面开设有第一滑槽和第二滑槽,所述第二滑槽与第一滑槽相互垂直,所述第二滑槽通过环形槽与第一滑槽相连。
作为本发明的再进一步技术方案:所述第一切割轮内固定安装有第一滑块,所述第一滑块设置在第一滑槽内并与其滑动连接,所述第二切割轮内固定安装有第二滑块,所述第二滑块设置在第二滑槽内并与其滑动连接。
与现有技术相比,本发明的有益效果是:通过设置多个错开设置的切割深度不同的第一刀片和第二刀片所组成的第一切割刀和第二切割刀安装在第一切割轮和第二切割轮,并设置调节机构来调节两个切割轮之间的距离,从而通过一次切割实现两次彻底切割,且每次彻底切割均为多次切割,大大提高了切割效率,保证了切割质量,实用性强。
附图说明
图1为半导体加工用晶圆切割装置的主视剖面图;
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