[发明专利]半导体装置以及制造半导体装置的方法

说明书

半导体装置以及制造半导体装置的方法。一种半导体装置，其包括：第一电子装置，所述第一电子装置包括第一表面和与所述第一表面相对的第二表面；以及阻挡件，所述阻挡件耦合到所述第一电子装置的所述第二表面并且包括：第一膜，所述第一膜包含：第一阻挡体；以及第一阻挡线股，所述第一阻挡线股由所述第一阻挡体界定并且限定第一穿孔，其中至少一个第一穿孔具有一对邻近的第一阻挡线股之间的第一尺寸；以及减小结构，所述减小结构耦合到所述第一膜以减小所述第一尺寸。本文还公开了其它实例和相关方法。

技术领域

本公开总体上涉及电子装置，并且更具体地涉及半导体装置和用于制造半导体装置 的方法。

背景技术

现有半导体封装和用于形成半导体封装的方法存在不足之处，例如，造成成本过多、 可靠性降低、性能相对较低或封装尺寸太大。对于本领域的技术人员来说，通过将常规和传统方法与本公开进行比较并且参照附图，此类方法的另外的局限性和缺点将变得明显。

发明内容

在本文公开的实例中，一种半导体装置包括：第一电子装置，所述第一电子装置包括第一表面和与所述第一表面相对的第二表面；以及阻挡件，所述阻挡件耦合到所述第 一电子装置的所述第二表面并且包括：第一膜，所述第一膜包含：第一阻挡体；以及第 一阻挡线股，所述第一阻挡线股由所述第一阻挡体界定并且限定第一穿孔，其中至少一 个第一穿孔具有一对邻近的第一阻挡线股之间的第一尺寸；以及减小结构，所述减小结 构耦合到所述第一膜以减小所述第一尺寸。

在所述实例中的所述半导体装置中，所述第一电子装置包括空腔，所述空腔从所述 第二表面部分地向内延伸，以提供邻近所述第一表面的隔膜；并且所述阻挡件跨所述空腔延伸。

所述实例中的所述半导体装置进一步包括：封装结构，所述封装结构包括：基底衬底，所述基底衬底包含介电结构、导电结构和通路，所述通路延伸穿过所述基底衬底的 一部分，其中所述第一电子装置耦合到所述基底衬底，使得所述隔膜与所述通路连通。

在所述实例中的所述半导体装置中，所述基底衬底进一步包括沟槽，所述沟槽安置 在所述通路的周界周围；所述阻挡件进一步包括凸出图案，所述凸出图案具有通过多个凹入部分分离的多个凸出部分；并且所述凸出图案在所述沟槽内耦合到所述基底衬底。

在所述实例中的所述半导体装置中，所述封装结构进一步包括耦合到所述基底衬底 的盖结构；所述盖结构包括第二导电结构；并且所述第一电子装置电耦合到所述第二导电结构。

在所述实例中的所述半导体装置中，所述阻挡件进一步包括：凸出图案，所述凸出图案具有通过多个凹入部分分离的多个凸出部分。

在本文公开的实例中的所述半导体装置中，所述阻挡件进一步包括加强件，所述加 强件安置成邻近所述第一阻挡体；并且所述凸出图案与所述加强件成一体。

在所述实例中的所述半导体装置中，所述阻挡件进一步包括加强件，所述加强件安 置成邻近所述第一阻挡体；并且所述凸出图案是所述加强件上的单独层。

在所述实例中的所述半导体装置中，所述减小结构包括：一个或多个共形膜层，所述一个或多个共形膜层安置在所述第一阻挡线股之上。

在所述实例中的所述半导体装置中，所述一个或多个共形膜层进一步安置在所述第 一阻挡体之上。

在所述实例中的所述半导体装置中，所述第一阻挡线股中的每个阻挡线股的侧表面 从所述一个或多个共形膜层暴露。

在所述实例中的所述半导体装置中，所述减小结构包括第二膜，所述第二膜具有第 二阻挡线股，所述第二阻挡线股安置在所述第一阻挡线股上并且与所述第一阻挡线股至 少部分重叠；所述第二阻挡线股限定第二穿孔；并且所述第二穿孔相对于所述第一穿孔侧向偏移。