[发明专利]半导体装置以及制造半导体装置的方法

权利要求书

1.一种半导体装置，其包括：

第一电子装置，所述第一电子装置包括第一表面和与所述第一表面相对的第二表面；以及

阻挡件，所述阻挡件耦合到所述第一电子装置的所述第二表面并且包括：

第一膜，所述第一膜包含：

第一阻挡体；以及

第一阻挡线股，所述第一阻挡线股由所述第一阻挡体界定并且限定第一穿孔，其中至少一个第一穿孔具有一对邻近的第一阻挡线股之间的第一尺寸；以及

减小结构，所述减小结构耦合到所述第一膜以减小所述第一尺寸。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中：

所述第一电子装置包括空腔，所述空腔从所述第二表面部分地向内延伸，以提供邻近所述第一表面的隔膜；并且

所述阻挡件跨所述空腔延伸。

3.根据权利要求2所述的半导体装置，其进一步包括：

封装结构，所述封装结构包括：

基底衬底，所述基底衬底包含介电结构、导电结构和通路，所述通路延伸穿过所述基底衬底的一部分，其中所述第一电子装置耦合到所述基底衬底，使得所述隔膜与所述通路连通。

4.根据权利要求3所述的半导体装置，其中：

所述基底衬底进一步包括沟槽，所述沟槽安置在所述通路的周界周围；

所述阻挡件进一步包括凸出图案，所述凸出图案具有通过多个凹入部分分离的多个凸出部分；并且

所述凸出图案在所述沟槽内耦合到所述基底衬底。

5.根据权利要求3所述的半导体装置，其中：

所述封装结构进一步包括耦合到所述基底衬底的盖结构；

所述盖结构包括第二导电结构；并且

所述第一电子装置电耦合到所述第二导电结构。

6.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述阻挡件进一步包括：

凸出图案，所述凸出图案具有通过多个凹入部分分离的多个凸出部分。

7.根据权利要求6所述的半导体装置，其中：

所述阻挡件进一步包括加强件，所述加强件安置成邻近所述第一阻挡体；并且

所述凸出图案与所述加强件成一体。

8.根据权利要求6所述的半导体装置，其中：

所述阻挡件进一步包括加强件，所述加强件安置成邻近所述第一阻挡体；并且

所述凸出图案是所述加强件上的单独层。

9.根据权利要求1所述的半导体装置，其中：

所述减小结构包括：

一个或多个共形膜层，所述一个或多个共形膜层安置在所述第一阻挡线股之上。

10.根据权利要求9所述的半导体装置，其中：

所述一个或多个共形膜层进一步安置在所述第一阻挡体之上。

11.根据权利要求9所述的半导体装置，其中：

所述第一阻挡线股中的每个阻挡线股的侧表面从所述一个或多个共形膜层暴露。

12.根据权利要求1所述的半导体装置，其中：

所述减小结构包括第二膜，所述第二膜具有第二阻挡线股，所述第二阻挡线股安置在所述第一阻挡线股上并且与所述第一阻挡线股至少部分重叠；

所述第二阻挡线股限定第二穿孔；并且

所述第二穿孔相对于所述第一穿孔侧向偏移。

13.根据权利要求12所述的半导体装置，其中：

所述第二膜进一步包括第二阻挡体，所述第二阻挡体安置在所述第一阻挡体上；并且

所述阻挡件进一步包括加强件，所述加强件安置在所述第二阻挡体上。

14.根据权利要求1所述的半导体装置，其中：

所述第一电子装置包括微机电系统传感器；并且

所述阻挡件包括一种或多种介电材料。