[发明专利]辅助图形嵌入方法及嵌入模块

说明书

本发明公开了一种辅助图形嵌入方法，其用于光刻掩膜版制造，包括识别设计规则中的主要图形，所述主要图形是光刻掩膜版上用于形成器件功能区的图形；将小于预设Pitch阈值的主要图形拟合形成主要图形虚拟合集；根据设计规则在主要图形虚拟合集旁侧嵌入辅助图形，所述辅助图形是集成电路生产过程中的辅助透光图形。将图形虚拟合集恢复为主要图形，完成辅助图形嵌入。本发明还公开了一种辅助图形嵌入模块。本发明能提高光刻掩膜版辅助图形嵌入计算效率和嵌入计算精度。

技术领域

本发明涉及集成电路生产制造领域，特别是一种用于光刻掩膜版制造工艺的辅助图形嵌入方法。本发明还涉及一种用于光刻掩膜版制造的辅助图形嵌入模块。

背景技术

光刻掩膜版(又称光罩，英文为Mask Reticle)，简称掩膜版，是微纳加工技术常用的光刻工艺所使用的图形母版。由不透明的遮光薄膜在透明基板上形成掩膜图形结构，再通过曝光过程将图形信息转移到产品基片上。待加工的掩膜版由玻璃/石英基片、铬层和光刻胶层构成。其图形结构可通过制版工艺加工获得，常用加工设备为直写式光刻设备，如激光直写光刻机、电子束光刻机等。掩膜版应用十分广泛，在涉及光刻工艺的领域都需要使用掩膜版，如IC(Integrated Circuit，集成电路)、FPD(Flat Panel Display，平板显示器)、PCB(Printed Circuit Boards，印刷电路板)、MEMS(Micro Electro Mechanical Systems，微机电系统)等。

光刻掩膜版的制造过程，包括：根据设计规则绘制生成设备可以识别的掩膜版版图文件(GDS格式)，使用无掩模光刻机读取版图文件，对带胶的空白掩膜版进行非接触式曝光；照射掩膜版上所需图形区域，使该区域的光刻胶发生光化学反应；经过显影、定影后，曝光区域的光刻胶溶解脱落，暴露出下面的铬层。使用铬刻蚀液进行湿法刻蚀，将暴露出的铬层刻蚀掉形成透光区域，而受光刻胶保护的铬层不会被刻蚀，形成不透光区域。这样便在掩膜版上形成透光率不同的平面图形结构。使用湿法或干法方式去除掩膜版上的光刻胶层，并对掩膜版进行清洗。

上述光刻掩膜版制造过程中，辅助图形根据主要图形的位置镶入，并经过处理形成最后要输出的图形，参考图1所示。在根据主要图形的位置镶入辅助图形，由于存在多个主要图形，造成辅助图形镶入位置计算需要耗费大量时间，影响生产效率。

发明内容

在发明内容部分中引入了一系列简化形式的概念,该简化形式的概念均为本领域现有技术简化，这将在具体实施方式部分中进一步详细说明。本发明的发明内容部分并不意味着要试图限定出所要求保护的技术方案的关键特征和必要技术特征，更不意味着试图确定所要求保护的技术方案的保护范围。

本发明要解决的技术问题是提供一种能提高光刻掩膜版辅助图形嵌入计算效率和嵌入计算精度的辅助图形嵌入方法。

本发明要解决的另一技术问题是提供一种能提高光刻掩膜版辅助图形嵌入计算效率和嵌入计算精度的辅助图形嵌入模块。

为解决上述技术问题，本发明提供用于光刻掩膜版制造的辅助图形嵌入方法，包括以下步骤：

S1，识别设计规则中的主要图形，所述主要图形是光刻掩膜版上用于形成器件功能区的图形；

S2，将小于预设Pitch阈值的主要图形拟合形成主要图形虚拟合集；

Pitch是跨距、脚距、垫距、线距、中距。

S3，根据设计规则在主要图形虚拟合集旁侧嵌入辅助图形，所述辅助图形是集成电路生产过程中的辅助透光图形。

S4，将图形虚拟合集恢复为主要图形，完成辅助图形嵌入。

可选择的，将小于预设Pitch阈值的主要图形沿外边线拟合形成主要图形虚拟合集，所述外边线是指该边线之外不存所述重复主要图形。