[发明专利]辅助晶圆及其制备方法、半导体制程

说明书

本发明实施例提供一种辅助晶圆及其制备方法、半导体制程，辅助晶圆的制备方法包括：提供初始晶圆；在所述初始晶圆表面形成保护膜，所述保护膜的材料包括低温相的氧化铝；对所述保护膜进行退火工艺，以使至少部分氧化铝由所述低温相转变为高温相，形成保护层。本发明有利于增加辅助晶圆的可循环使用次数。

技术领域

本发明实施例涉及半导体领域，特别涉及一种辅助晶圆及其制备方法、半导体制程。

背景技术

在机台制程中，为实现对晶圆制程的监控，通常需要使用辅助晶圆来监控或维持制程的有效性。在辅助晶圆和产品晶圆表面会进行相同的产品工艺，而为了使得辅助晶圆能够循环利用，通常会在将辅助晶圆置入机台内之前对辅助晶圆进行前制程，以在辅助晶圆的待处理表面形成保护膜，保护膜可以在去除保护膜远离辅助晶圆一侧的其他材料时对辅助晶圆进行保护，以避免去除工艺对辅助晶圆造成损伤，从而保证辅助晶圆能够循环使用。

现有保护膜的耐用性较差，易于损毁，辅助晶圆寿命有限，循环利用次数少，半导体制程成本较高。

发明内容

本发明实施例提供了一种辅助晶圆及其制备方法、半导体制程，有利于增加辅助晶圆的可循环利用次数。

为解决上述问题，本发明实施例提供一种辅助晶圆的制备方法，包括：提供初始晶圆；在所述初始晶圆表面形成保护膜，所述保护膜的材料包括低温相的氧化铝；对所述保护膜进行退火工艺，以使至少部分氧化铝由所述低温相转变为高温相，形成保护层。

另外，所述在所述初始晶圆表面形成保护膜，包括：利用前驱物在所述初始晶圆表面形成所述保护膜，所述前驱物包括三甲基铝和臭氧，或者，所述前驱物包括三氯化铝和臭氧。

另外，采用载气承载所述三甲基铝，所述载气的流量为100sccm～400sccm。

另外，在200℃～600℃的温度条件下，利用所述前驱物形成所述保护膜。

另外，所述退火工艺包括尖峰退火，尖峰退火的退火温度大于900℃。

另外，所述高温相的氧化铝包括α-氧化铝。

另外，辅助晶圆的形成方法还包括：在所述保护层上形成功能层，同一刻蚀工艺对所述功能层与所述初始晶圆的刻蚀选择比小于对所述功能层与所述保护层的刻蚀选择比。

相应地，本发明实施例还提供了一种辅助晶圆，包括：初始晶圆以及位于所述初始晶圆表面的保护层，所述保护层的材料包括氧化铝，且所述氧化铝的物相包括高温相。

另外，在垂直于所述初始晶圆表面的方向上，所述保护层的厚度大于或等于2nm。

另外，所述保护层的材料包括α-氧化铝。

相应地，本发明实施例还提供一种半导体制程，包括：提供产品晶圆和上述辅助晶圆；步骤A：对所述产品晶圆和所述辅助晶圆进行同一制程工艺，以在所述产品晶圆和所述辅助晶圆表面形成功能层；步骤B：去除所述辅助晶圆表面的所述功能层。

另外，循环执行所述步骤A和所述步骤B。

与现有技术相比，本发明实施例提供的技术方案具有以下优点：

上述技术方案中，通过将氧化铝由低温相转变为高温相，使得氧化铝具有更为稳定的晶相结构、更高的硬度以及更低的活性，如此，有利于在去除辅助晶圆表面的介质材料时，减轻去除工艺对氧化铝的损伤，提高辅助晶圆的可循环使用次数，有效降低半导体制程成本。

另外，相对于均温退火来说，采用尖峰退火有利于缩短退火时间，且也能够较好的去除低温相氧化铝中的水分子。

附图说明