[发明专利]半导体结构及其形成方法

说明书

一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底；在基底上形成多个沿第一方向延伸且沿第二方向依次排列的导电功能层、位于导电功能层之间基底上的底部介质层、以及位于导电功能层中的阻断结构，阻断结构分割沿第一方向位于阻断结构两侧的导电功能层；形成覆盖底部介质层、导电功能层和阻断结构的顶部介质层；刻蚀位于阻断结构和导电功能层交界位置处上方的顶部介质层、以及位于导电功能层侧壁的部分阻断结构，形成贯穿顶部介质层且露出导电功能层的部分顶部和部分侧壁的通孔；在通孔中填充通孔互连结构，通孔互连结构与导电功能层的部分顶部和部分侧壁相接触。本发明实施例进而有利于提升半导体结构的性能。

技术领域

本发明实施例涉及半导体制造领域，尤其涉及一种半导体结构及其形成方法。

背景技术

随着集成电路的制造向超大规模集成电路(ULSI)发展，其内部的电路密度越来越大，所含元件数量不断增加，使得晶片的表面无法提供足够的面积来制造所需的互连线。为了配合元件缩小后所增加的互连线需求，利用互连沟槽及通孔实现的两层以上的多层金属互连结构的设计，成为超大规模集成电路技术所必须采用的方法。

在半导体器件的后段制作过程中，通常需要进行金属互连结构形成工艺。所述金属互连结构形成工艺通常在半导体衬底上进行，所述半导体衬底上通常具有有源区，所述有源区上形成有诸如晶体管和电容器等半导体器件。金属互连结构中，通常可有多层导电插塞和金属互连线，多层金属互连线之间可以通过导电插塞电连接。在前一层导电插塞上形成后一层金属互连线、或在前一层金属互连线上形成后一层导电插塞时，通常先在前一层金属插塞或金属互连线上形成层间介质层，之后在层间介质层中形成通孔(Via)和互连沟槽(Trench)，最后采用金属填充通孔和互连沟槽，形成后一层导电插塞或金属互连线。

发明内容

本发明实施例解决的问题是提供一种半导体结构及其形成方法，有利于提升半导体结构的性能。

为解决上述问题，本发明实施例提供一种半导体结构的形成方法，包括：提供基底；在所述基底上形成多个沿第一方向延伸且沿第二方向依次排列的导电功能层、位于所述导电功能层之间基底上的底部介质层、以及位于所述导电功能层中的阻断结构，所述阻断结构分割沿所述第一方向位于所述阻断结构两侧的导电功能层；形成覆盖所述底部介质层、导电功能层和阻断结构的顶部介质层；刻蚀位于所述阻断结构和导电功能层交界位置处上方的顶部介质层、以及位于所述导电功能层侧壁的部分所述阻断结构，形成贯穿所述顶部介质层且露出所述导电功能层的部分顶部和部分侧壁的通孔；在所述通孔中填充通孔互连结构，所述通孔互连结构与所述导电功能层的部分顶部和部分侧壁相接触。

相应的，本发明实施例还提供一种半导体结构，包括：基底；多个位于所述基底上、沿第一方向延伸且沿第二方向依次排列的导电功能层；底部介质层，位于所述导电功能层之间的基底上；位于所述导电功能层中的阻断结构，所述阻断结构分割沿所述第一方向位于所述阻断结构两侧的导电功能层；顶部介质层，覆盖于所述底部介质层、导电功能层和阻断结构上；通孔互连结构，包括第一部分，位于所述导电功能层侧壁的部分宽度阻断结构中且与导电功能层的部分侧壁相接触，以及与所述第一部分相连、位于所述第一部分上的第二部分，贯穿所述阻断结构和导电功能层交界位置处上方的顶部介质层且与所述导电功能层的部分顶部相接触。

与现有技术相比，本发明实施例的技术方案具有以下优点：