[发明专利]半导体模块封装方法及半导体模块

说明书

本申请提供一种半导体模块封装方法及半导体模块。该半导体模块封装方法包括：将芯片、被动件贴装于DBC板的第一导电金属层上；将所述DBC板贴装于载板上；通过包封层覆盖在整个所述载板上，对所述芯片、所述被动件以及所述DBC板进行塑封形成包封结构件；在所述包封结构件的第一表面形成再布线结构，所述芯片、所述被动件的焊脚均直接与所述再布线结构电连接。该半导体模块通过该半导体模块封装方法制得。本申请的半导体模块具有优异的散热效果，且具有体积小，结构紧凑，可靠性高的优势，适合小型轻量电子设备；相对于传统的引线键合封装方式，具有阻抗小，通流能力强的优势。

技术领域

本申请涉及一种半导体技术领域，尤其涉及一种半导体模块封装方法及半导体模块。

背景技术

塑封式IPM模块(IntelligentPowerModule，智能功率模块)是将IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor，绝缘栅双极型晶体管)芯片及其驱动电路、控制电路和过流、欠压、短路、过热等保护电路集成于一体的新型控制模块。

塑封式IPM模块是一种复杂、先进的功率模块，能自动实现过流、欠压、短路和过热等复杂保护功能，因而具有智能特征。同时它具有低成本、小型化、高可靠、易使用等优点，广泛应用于变频家电、逆变电源、工业控制等领域，社会效益和经济效益十分可观。

对于塑封式IPM模块来说，如图1所示，其内部通常设有DBC板30’和引线框架40’，通过将芯片11’及被动件12’固定在引线框架40’上制作封装结构，同时通过引线20’键合完成电气连接的功能，然后将封装结构固定在DBC板30’上，DBC板30’与引线框架40’之间是通过焊接的方式完成固定和电气连接的，最后通过引线框架40’的引脚41’实现外部电气连接。

但是，现有技术中的IPM模块由于需要引线框架而造成散热效果不佳、体积较大，而且由于通过引线互连封装结构内的电子元件以及引线框架，存在产出效率低、通流能力差的问题。

发明内容

本申请的一个方面提供半导体模块封装方法，其包括：

S1：将芯片、被动件贴装于DBC板的第一导电金属层上，所述芯片的背面朝向所述DBC板的第一导电金属层；

S2：将所述DBC板贴装于载板上，所述DBC板中与所述第一导电金属层相对设置的第二导电金属层朝向所述载板；

S3：通过包封层覆盖在整个所述载板上，对所述芯片、所述被动件以及所述DBC板进行塑封形成包封结构件；

S4：在所述包封结构件的第一表面形成再布线结构，所述芯片、所述被动件的焊脚均直接与所述再布线结构电连接。

可选的，所述包封结构件包括相对设置的所述第一表面和第二表面，所述第二表面朝向所述载板，在步骤S3中，包括：

对所述包封结构件的第一表面进行研磨，使所述被动件的焊脚露出于所述包封结构件的第一表面。

可选的，在步骤S4中，包括：

S41：在所述包封结构件的第一表面依次形成第一再布线层和导电凸柱，所述芯片、所述被动件的焊脚均与所述第一再布线层电连接；

S42：在所述第一再布线层以及露出的所述包封结构件的第一表面上形成第一介电层，并使所述导电凸柱远离所述第一再布线层的一端露出于所述第一介电层远离所述包封结构件的一表面。

可选的，在步骤S42中包括：

在所述第一再布线层、所述导电凸柱、以及露出的所述包封结构件的第一表面上形成第一介电层；

对所述第一介电层中远离所述包封结构件的一表面进行研磨，使所述导电凸柱远离所述第一再布线层的一端露出于所述第一介电层远离所述包封结构件的一表面。