[发明专利]半导体模块封装方法及半导体模块在审
申请号: | 202010466820.5 | 申请日: | 2020-05-28 |
公开(公告)号: | CN111599696A | 公开(公告)日: | 2020-08-28 |
发明(设计)人: | 吴建忠;霍炎 | 申请(专利权)人: | 矽磐微电子(重庆)有限公司 |
主分类号: | H01L21/50 | 分类号: | H01L21/50;H01L21/56;H01L21/60;H01L25/16;H01L23/31;H01L23/367 |
代理公司: | 北京博思佳知识产权代理有限公司 11415 | 代理人: | 曾莺华 |
地址: | 401331 重*** | 国省代码: | 重庆;50 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 模块 封装 方法 | ||
1.一种半导体模块封装方法,其特征在于,其包括:
S1:将芯片、被动件以及多个导电柱贴装于DBC板的第一导电金属层上,多个所述导电柱分别相对应于所述芯片、所述被动件设置,所述芯片的正面朝向所述DBC板的第一导电金属层,所述芯片的正面通过所述DBC板的第一导电金属层和相对应的所述导电柱电连接,所述被动件通过所述DBC板的第一导电金属层和相对应的所述导电柱电连接;
S2:将所述DBC板贴装于载板上,所述DBC板中与所述第一导电金属层相对设置的第二导电金属层朝向所述载板;
S3:通过包封层覆盖在整个所述载板上,对所述芯片、所述被动件、所述导电柱、以及所述DBC板进行塑封形成包封结构件;
S4:在所述包封结构件的第一表面形成再布线结构,所述芯片的背面与所述再布线结构直接电连接,且所述被动件与所述芯片的正面分别通过不同的所述导电柱与所述再布线结构电连接。
2.如权利要求1所述的半导体模块封装方法,其特征在于,所述包封结构件包括相对设置的所述第一表面和第二表面,所述第二表面朝向所述载板,在步骤S3中,包括:
对所述包封结构件的第一表面进行研磨,使所述导电柱远离所述DBC板的一端露出于所述包封结构件的第一表面。
3.如权利要求1所述的半导体模块封装方法,其特征在于,在步骤S4中,包括:
S41:在所述包封结构件的第一表面依次形成第一再布线层和导电凸柱,所述芯片的背面、所述导电柱远离所述DBC板的一端均与所述第一再布线层电连接;
S42:在所述第一再布线层以及露出的所述包封结构件的第一表面上形成第一介电层,并使所述导电凸柱远离所述第一再布线层的一端露出于所述第一介电层远离所述包封结构件的一表面。
4.如权利要求3所述的半导体模块封装方法,其特征在于,在步骤S42中包括:
在所述第一再布线层、所述导电凸柱、以及露出的所述包封结构件的第一表面上形成第一介电层;
对所述第一介电层中远离所述包封结构件的一表面进行研磨,使所述导电凸柱远离所述第一再布线层的一端露出于所述第一介电层远离所述包封结构件的一表面。
5.如权利要求3所述的半导体模块封装方法,其特征在于,其特征在于,在步骤S42之后,还包括:
S43:在所述第一介电层以及所述导电凸柱上形成第二再布线层;
S44:在所述第一介电层上形成第二介电层,并使所述第二再布线层远离所述导电凸柱的一端露出于所述第二介电层远离所述第一介电层的一表面露出。
6.如权利要求5所述的半导体模块封装方法,其特征在于,在步骤S44中包括:
在所述第二再布线层以及露出的所述第一介电层上形成第二介电层;
对所述第二介电层中远离所述包封结构件的一表面进行研磨,使所述第二再布线层远离所述第一再布线层的一端露出于所述第二介电层远离所述包封结构件的一表面。
7.如权利要求1所述的半导体模块封装方法,其特征在于,在步骤S4之后还包括:
S5:在所述再布线结构的远离所述包封结构件的一侧形成金属连接层,所述金属连接层与所述再布线结构直接连接。
8.如权利要求7所述的半导体模块封装方法,其特征在于,在步骤S5之前,还包括:剥离所述载板;或者,
在步骤S5之后,还包括:剥离所述载板。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造