[发明专利]形成半导体器件的方法以及系统在审
| 申请号: | 202010466810.1 | 申请日: | 2020-05-28 |
| 公开(公告)号: | CN112233984A | 公开(公告)日: | 2021-01-15 |
| 发明(设计)人: | 凡卡塔·史瑞帕西·沙珊卡·普雷塔帕;陈俊宏;郑文豪 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/50 | 分类号: | H01L21/50;H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人: | 章社杲;李伟 |
| 地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 形成 半导体器件 方法 以及 系统 | ||
1.一种形成半导体器件的方法,包括:
接收形成在晶圆的表面上的多个部件的第一布局数据,所述表面包括在第一划分层级下的多个格栅区域;
确定在所述第一划分层级下的所述多个格栅区域中的每个的初始图案密度值;
通过调整所述多个格栅区域中的第一格栅区域的初始图案密度值来获取所述第一格栅区域的计划图案密度值,所述第一格栅区域的所述初始图案密度值基于所述第一划分层级下的所述多个格栅区域中的第二格栅区域的初始图案密度值;
基于所述计划图案密度值来确定所述第一格栅区域的第二布局数据;以及
至少部分地基于所述第一格栅区域的所述第二布局数据在所述晶圆的所述表面上形成所述多个部件。
2.根据权利要求1所述的方法,其中,基于所述第一布局数据来确定所述初始图案密度值。
3.根据权利要求2所述的方法,其中,基于关于所述第一格栅区域和与所述第一格栅区域相邻的外围区域的所述第一布局数据来确定所述初始图案密度值。
4.根据权利要求1所述的方法,其中,基于第二划分层级下的第三格栅区域的图案密度值来确定所述初始图案密度值,并且所述第三格栅区域与所述第一格栅区域重叠。
5.根据权利要求4所述的方法,其中,所述第三格栅区域包含所述第一格栅区域。
6.根据权利要求4所述的方法,其中,所述第三格栅区域包含在所述第一格栅区域中。
7.根据权利要求1所述的方法,其中,基于所述计划图案密度值来确定所述第一格栅区域的所述第二布局数据包括:确定所述第一格栅区域中的部件的表面面积。
8.根据权利要求1所述的方法,其中,获取所述多个格栅区域中的所述第一格栅区域的所述计划图案密度值还包括:将部件添加到所述第一格栅区域中。
9.一种形成半导体器件的系统,包括:
晶圆处理工具,配置为在晶圆表面上形成多个连接部件;
数据库,配置为存储所述多个连接部件的设计数据;以及
基于处理器的控制器,可操作的控制所述晶圆处理工具以在所述晶圆表面上形成所述多个连接部件,包括以下动作:
在第一划分层级下将所述晶圆表面划分为第一多个格栅区域;
确定所述第一多个格栅区域中的第一格栅区域的第一图案密度值;
基于所述第一多个格栅区域中的第二格栅区域的第二图案密度值来调整所述第一格栅区域的所述第一图案密度值;
基于调整后的所述第一格栅区域的所述第一图案密度值来确定所述第一格栅区域的布局数据;和
至少部分地基于所述第一格栅区域的所述布局数据来控制所述晶圆处理工具,以在所述晶圆的所述表面上形成所述多个连接部件。
10.一种形成半导体器件的方法,包括:
接收形成在第一衬底的表面上的多个离散导电结构的第一布局数据,所述多个离散导电结构包括形成在所述表面上的第一格栅区域中的第一离散导电结构;
确定所述第一格栅区域的图案密度值;
确定所述第一离散导电结构的高度值;
基于所述第一离散导电结构的所述高度值来调整所述第一格栅区域的所述图案密度值;
基于调整后的图案密度值来确定所述第一格栅区域的布局;以及
至少部分地基于所述第一格栅区域的所述布局在所述表面上形成所述多个离散导电结构。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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