[发明专利]一种化学气相沉积装置在审
申请号: | 202010454127.6 | 申请日: | 2020-05-26 |
公开(公告)号: | CN113718235A | 公开(公告)日: | 2021-11-30 |
发明(设计)人: | 顾伟;刘冰之;郑凯强;高翾 | 申请(专利权)人: | 北京石墨烯研究院 |
主分类号: | C23C16/54 | 分类号: | C23C16/54;C23C16/46;C23C16/458;C23C16/448;C23C16/26 |
代理公司: | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人: | 崔香丹;于宝庆 |
地址: | 100095 北京市海淀区苏家*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 化学 沉积 装置 | ||
本发明提供了一种化学气相沉积装置,包括反应单元和承载面板;所述反应单元用于通过化学气相沉积反应在基底上生成薄膜;所述承载面板用于承载所述基底,并能够带着所述基底进出所述反应单元;其中,所述反应单元包括一个或多个反应室,在所述反应室内设置有保温腔,所述保温腔为两端开口的筒状体。本发明的一实施方式化学气相沉积装置,可实现石墨烯玻璃的连续生产。
技术领域
本发明涉及化学气相沉积装置,具体为一种可实现石墨烯薄膜连续生长的化学气相沉积装置。
背景技术
石墨烯玻璃既保留了玻璃良好的透光性,而且赋予了其导电、导热、耐腐蚀和自清洁等性能,从而为进一步拓宽玻璃在高端消费品领域的应用,提供了扎实的材料基础。
目前,采用液相涂膜法或转移法制备的石墨烯玻璃存在石墨烯与玻璃界面污染多,石墨烯薄膜有破损等问题,这将使得石墨烯玻璃的性能受到较大损失。利用化学气相沉积技术(CVD)在玻璃表面直接生长石墨烯的方法可以从根源上避免这些问题。此外,这种石墨烯玻璃的CVD制备方法,操作简单,具有规模化生产潜力,对于推动石墨烯玻璃走向应用具有重要作用。
然而,现有的在玻璃表面直接生长石墨烯薄膜的技术/装置都面临着如下问题:(1)多为“间歇式”生长,缺乏稳定的连续化制备工艺;(2)缺少全流程自动化精确化控制;(3)缺少大尺寸石墨烯玻璃制备的连续化制备设备。
发明内容
本发明的一个主要目的在于提供一种化学气相沉积装置,包括反应单元和承载面板;所述反应单元用于通过化学气相沉积反应在基底上生成薄膜;所述承载面板用于承载所述基底,并能够带着所述基底进出所述反应单元;其中,所述反应单元包括一个或多个反应室,在所述反应室内设置有保温腔,所述保温腔为两端开口的筒状体。
本发明的一实施方式的化学气相沉积装置,可实现石墨烯玻璃的连续生产。
附图说明
图1为本发明一实施方式的化学气相沉积装置的结构示意图;
图2为本发明一实施方式的承载面板位于反应室的结构示意图;
图3为本发明一实施方式的承载面板的结构示意图;
图4a为本发明一实施方式的定位框的立体示意图;
图4b为图4a的俯视图。
具体实施方式
体现本发明特征与优点的典型实施方式将在以下的说明中详细叙述。应理解的是本发明能够在不同的实施方式上具有各种的变化,其皆不脱离本发明的范围,且其中的说明及图示在本质上是当作说明之用,而非用以限制本发明。
参照图1至4b,本发明一实施方式提供了一种化学气相沉积装置,可用于石墨烯玻璃的连续制备,包括备样单元10、反应单元20、取样单元30、传送组件和承载面板50,备样单元10、反应单元20、取样单元30依次排列。
其中,用于石墨烯薄膜生长的一个或多个玻璃基底可通过传送组件自备样单元10进入反应单元20,在反应单元20内通过化学气相沉积技术,石墨烯生长于玻璃基底的表面,待石墨烯生长结束之后,玻璃基底在传送组件的作用下进入取样单元30,如此循环,可实现石墨烯玻璃的连续生产。
本发明一实施方式的化学气相沉积装置中,备样单元10和取样单元30的设置,有助于实现石墨烯玻璃的连续化制备。
于一实施方式中,传送组件包括导轨41、传送带(图中未示)和电机(图中未示)。
于一实施方式中,导轨41的材质可以为石墨、碳化硅、氧化铝等。
于一实施方式中,传送带可以是步齿形传送带,电机可以为步进电机。
于一实施方式中,在备样单元10、反应单元20、取样单元30内均设置有导轨41,以实现玻璃基底在各个腔室之间的传送。
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