[发明专利]阵列基板及其制备方法

说明书

本发明提供了一种阵列基板及其制备方法，该阵列基板包括衬底；有源层，形成于衬底之上；第一金属层，形成于衬底之上；阻挡层，形成于有源层之上，与有源层连接，阻挡层的材料为石墨烯；第二金属层，形成于阻挡层上，第二金属层的材料为金属铜；其中，阻挡层在衬底上的投影，与第二金属层在衬底上的投影重合。通过制备以石墨烯为材料的阻挡层，利用石墨烯具对原子、分子、离子等良好的阻挡性能，使得铜金属层的原子无法穿过阻挡层向有源层扩散，保护了薄膜晶体管的性能，保证了TFT器件的性能；利用石墨烯纳米级别的厚度，降低了阵列基板的厚度；利用石墨烯易于刻蚀的特性，避免了现有技术中阻挡层存在刻蚀工艺复杂、刻蚀效果不理想的问题。

技术领域

本申请涉及显示领域，尤其涉及一种阵列基板及其制备方法。

背景技术

铜的导电性好，电阻率低，且价格低廉，广泛作为导线应用在TFT(Thin FilmTransistor，薄膜场效应晶体管)领域。

但是铜原子在热或电场应力下易扩散到有源层，导致TFT器件性能劣化，且铜与大多数绝缘膜层的粘附性很差。为了阻止铜原子扩散至有源层，同时增加铜与绝缘膜层的黏附性，常用的方法是在铜和绝缘膜层之间引入阻挡层，阻隔层的材料一般为钛、钽、钼等难熔金属或合金。由于铜和作为阻挡层的金属的刻蚀特性存在差异，刻蚀工艺通常比较复杂，并且刻蚀效果往往不理想。

因此，现有TFT器件存在阻挡层存在刻蚀工艺复杂、刻蚀效果不理想的问题，需要改进。

发明内容

本发明提供一种阵列基板及其制备方法，以解决现有技术中阻挡层存在刻蚀工艺复杂、刻蚀效果不理想的问题。

为解决以上问题，本发明提供的技术方案如下：

本发明提供一种阵列基板，其包括：

衬底；

有源层，形成于所述衬底之上；

第一金属层，形成于所述衬底之上；

阻挡层，形成于所述有源层之上，与所述有源层连接，所述阻挡层的材料为石墨烯；

第二金属层，形成于所述阻挡层上，所述第二金属层的材料为金属铜；

其中，所述第二金属层在所述衬底上的投影，与所述阻挡层在所述衬底上的投影重合。

在本发明提供的阵列基板中，所述阻挡层为石墨烯单原子层。

在本发明提供的阵列基板中，所述阻挡层为石墨烯多原子层。

在本发明提供的阵列基板中，所述阻挡层的厚度为0.35nm-10nm。

在本发明提供的阵列基板中，所述阵列基板还包括第一绝缘层和第二绝缘层；所述有源层形成于所述衬底上，所述第一绝缘层形成于所述有源层上，所述第一金属层形成于所述第一绝缘层上，所述第二绝缘层形成于所述第一金属层上，所述阻挡层形成于所述第二绝缘层上，且通过过孔与所述有源层连接，所述第二金属层形成于所述阻挡层上，且覆盖所述阻挡层。

在本发明提供的阵列基板中，所述阵列基板还包括绝缘层；所述第一金属层形成于所述衬底上，所述绝缘层形成于所述第一金属层上，所述有源层形成于所述绝缘层上，所述阻挡层形成于所述有源层上，且与所述有源层连接，所述第二金属层形成于所述阻挡层上，且覆盖所述阻挡层。

在本发明提供的阵列基板中，所述第一金属层为栅极层，所述第二金属层为源漏极层。

同时，本发明提供一种阵列基板的制备方法，其包括：

提供衬底；

在所述衬底上制备第一金属层；

在所述第一金属层上制备绝缘层；