[发明专利]阵列基板及其制备方法

权利要求书

1.一种阵列基板，其特征在于，包括：

衬底；

有源层，形成于所述衬底之上；

第一金属层，形成于所述衬底之上；

阻挡层，形成于所述有源层之上，与所述有源层连接，所述阻挡层的材料为石墨烯；

第二金属层，形成于所述阻挡层上，所述第二金属层的材料为金属铜；

其中，所述第二金属层在所述衬底上的投影，与所述阻挡层在所述衬底上的投影重合。

2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阻挡层为石墨烯单原子层。

3.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阻挡层为石墨烯多原子层。

4.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阻挡层的厚度为0.35nm-10nm。

5.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括第一绝缘层和第二绝缘层；所述有源层形成于所述衬底上，所述第一绝缘层形成于所述有源层上，所述第一金属层形成于所述第一绝缘层上，所述第二绝缘层形成于所述第一金属层上，所述阻挡层形成于所述第二绝缘层上，且通过过孔与所述有源层连接，所述第二金属层形成于所述阻挡层上，且覆盖所述阻挡层。

6.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括绝缘层；所述第一金属层形成于所述衬底上，所述绝缘层形成于所述第一金属层上，所述有源层形成于所述绝缘层上，所述阻挡层形成于所述有源层上，且与所述有源层连接，所述第二金属层形成于所述阻挡层上，且覆盖所述阻挡层。

7.如权利要求1至6任一所述的阵列基板，其特征在于，所述第一金属层为栅极层，所述第二金属层为源漏极层。

8.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，包括：

提供衬底；

在所述衬底上制备第一金属层；

在所述第一金属层上制备绝缘层；

在所述绝缘层上沉积石墨烯薄膜；

在所述阻挡层上沉积第二金属薄膜，所述第二金属薄膜的材料是铜；

图案化处理所述第二金属薄膜膜，得到第二金属层；

以图案化处理后的所述第二金属层为自对准掩膜版，对所述石墨烯薄膜进行刻蚀，得到阻挡层。

9.如权利要求8所述的制备方法，其特征在于，所述在所述绝缘层上沉积阻挡薄膜的方法包括化学气相沉积法、氧化还原法、以及外延生长法。

10.如权利要求8所述的制备方法，其特征在于，所述以图案化处理后的所述第二金属层为自对准掩膜版，对所述石墨烯薄膜进行刻蚀，得到阻挡层的步骤包括：

以图案化处理后的所述第二金属层为自对准掩膜版，采用强氧化性气体，对所述石墨烯薄膜进行刻蚀，得到所述阻挡层。