[发明专利]半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置的制造方法，其具有：

准备由III族氮化物半导体制成且主表面为c面的半导体基板的工序；

通过对所述主表面进行干法蚀刻而在所述主表面上形成槽部的工序；以及

通过使用蚀刻液对所述槽部的内表面进行湿法蚀刻，而在蚀刻区域内使所述半导体基板的c面露出的工序，其中，该蚀刻液对所述半导体基板的c面的蚀刻率与对所述半导体基板的c面以外的面的蚀刻率相比较低。

2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其还具有：

在所述半导体基板内形成源极区和漏极区的工序，在该工序中，以使得通过所述湿法蚀刻露出的所述c面位于所述源极区与所述漏极区之间的方式形成形成所述源极区和所述漏极区；以及

形成栅极的工序，该栅极配置在与位于所述源极区和所述漏极区之间的所述c面相对的位置。

3.根据权利要求2所述的半导体装置的制造方法，其中，

在形成所述源极区和所述漏极区的工序中，在所述槽部的底表面的位置形成所述源极区和所述漏极区中的至少一个。

4.根据权利要求3所述的半导体装置的制造方法，其中，

在所述主表面形成所述槽部的工序中，在所述主表面形成第1槽部和第2槽部，

在形成所述源极区和所述漏极区的工序中，在所述第1槽部的底表面的位置形成所述源极区，在所述第2槽部的底表面的位置形成所述漏极区。