[发明专利]铁电薄膜的制备方法、铁电存储器及其制备方法在审
| 申请号： | 202010401254.X | 申请日： | 2020-05-13 |
| 公开（公告）号： | CN111549329A | 公开（公告）日： | 2020-08-18 |
| 发明（设计）人： | 廖敏;郇延伟;戴思维;刘兆通;曾斌建;周益春 | 申请（专利权）人： | 湘潭大学 |
| 主分类号： | C23C16/18 | 分类号： | C23C16/18;C23C16/455;C23C16/56;H01L27/1159 |
| 代理公司： | 北京中政联科专利代理事务所(普通合伙) 11489 | 代理人： | 郑久兴 |
| 地址： | 411100 湖*** | 国省代码： | 湖南;43 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 薄膜 制备 方法 存储器 及其 | ||
1.一种铁电薄膜的制备方法，包括：
以主元素源作为反应前驱体进行原子层沉积，将主元素沉积到衬底表面以吸附大部分自由键合点；
使用惰性气体作为净化气体，进行清除吹扫；
以掺杂元素源作为反应前驱体进行原子层沉积，使掺杂元素吸附衬底表面上剩余的自由键合点；
使用惰性气体作为净化气体，进行清除吹扫；
使用氧化性气体一同进行氧化处理；
使用惰性气体作为净化气体，进行清除吹扫；
重复以上步骤，得到目标厚度的铁电薄膜。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述主元素源包括铪源；所述铪源选自四甲乙氨基铪、四二甲氨铪和四叔丁基铪等。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，以主元素源作为反应前驱体进行原子层沉积时，腔体温度设置为280～300℃，反应前驱体加热温度为75～80℃，且腔体内压强保持在150～185mtorr。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述铁电薄膜的目标厚度为3～100nm。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述掺杂元素源选自三甲基铝、三(二甲氨基)硅烷和三(异丙基环戊烷基)镧等元素。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，以掺杂元素源作为反应前驱体进行原子层沉积时，腔体温度设置为280～300℃，反应前驱体加热温度为75～80℃，且腔体内压强保持在150～185mtorr。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述净化气体为惰性气体，所述惰性气体包括氩气。
8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述氧化性气体包括H2O、O2和/或O3。
9.一种铁电存储器的制备方法，包括制备铁电薄膜，所述铁电薄膜采用权利要求1-8任一项所述的方法得到。
10.一种铁电存储器，所述铁电存储器由权利要求9所述的铁电存储器的制备方法得到。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于湘潭大学，未经湘潭大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202010401254.X/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：内容推荐方法及计算机可读存储介质
- 下一篇：一种义齿上瓷的方法
- 同类专利
- 专利分类
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
