[发明专利]一种硅片清洗装置及利用该装置进行清洗的清洗方法在审
申请号: | 202010344227.3 | 申请日: | 2020-04-27 |
公开(公告)号: | CN111477572A | 公开(公告)日: | 2020-07-31 |
发明(设计)人: | 嵇峰 | 申请(专利权)人: | 江苏晶科天晟能源有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/02;H01L31/18 |
代理公司: | 南京苏科专利代理有限责任公司 32102 | 代理人: | 陈亮 |
地址: | 225800 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 硅片 清洗 装置 利用 进行 方法 | ||
本发明涉及硅片制造领域的一种硅片清洗装置及利用该装置进行清洗的清洗方法,所述清洗装置本体由若干组独立的清洗机构及配合清洗机构设置的烘干机构组成,若干组独立的清洗机构自进料口处到出料口依次按顺序排布设置,所述烘干机构设置在最后一道清洗机构的前一道工序;所述清洗装置本体还配合设置有操作面板,所述清洗装置本体的四周及操作平台上还配合设置有防护栏,所述清洗机构和烘干机构上还设置有运输装置;该发明提供一种硅片清洗装置,对硅片实行多级分段式清洗,彻底清洗硅片表面的杂质,提高硅片使用效率;同时提供一种硅片清洗的方法,通过该方法实现硅片快速化的清洗,避免在清洗过程中产生的不必要的损坏,降低不良率,减少成本。
技术领域
本发明涉及硅片制造领域内一种硅片清洗装置及清洗方法。
背景技术
光伏能源作为最重要的新型清洁能源,是21世纪人类重点发展和推广的新能源项目;目前,行业内的一个重要目标是降低生产成本以实现光伏电能的平价上网,其中,提升光伏产品的效率是降低生产成本的一个重要途径;目前的晶体硅电池受技术的制约,受光面的结构还没有达到理想的效果,导致光利用率仍然偏低。
现有技术中,提供了一种申请号为 201911139189 .1,申请日为2019 .11 .20,申请公布号为CN 110783239 A,申请公布日为2020.02.11的一种硅片清洗设备,,包括工艺机构,数量为至少两个,适于对硅片进行工艺处理;传输组件,传输所述硅片,以使得所述硅片由任一所述工艺机构移动至任另一所述工艺机构;其中,所述工艺机构包括至少一个的清洗组件和至少一个的烘干组件,所述清洗组件适于对所述硅片进行清洗,所述烘干组件适于对所述硅片进行烘干;该设备在实际应用过程中清洗效果不稳定,而且工作效率低,操作复杂,不能完全实现自动化的生产,不利于长期的进行使用。
发明内容
本发明的目的是提供一种硅片清洗装置,该发明对硅片实行多级分段式清洗,彻底清洗硅片表面的杂质,提高硅片使用效率。
本发明的目的是这样实现的:一种硅片清洗装置,包括清洗装置本体,所述清洗装置本体包括设置在一端的进料口和设置在另一端的出料口,所述清洗装置本体的底部配合设置有缓震底座,清洗装置本体的一侧设置有操作平台,操作平台与清洗装置本体之间平行设置,所述清洗装置本体的四周还配合设置有挡板;所述清洗装置本体由若干组独立的清洗机构及配合清洗机构设置的烘干机构组成,若干组独立的清洗机构自进料口处到出料口依次按顺序排布设置,所述烘干机构设置在最后一道清洗机构的前一道工序;所述清洗装置本体还配合设置有操作面板,所述清洗装置本体的四周及操作平台上还配合设置有防护栏,所述清洗机构和烘干机构上还设置有运输装置。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造