[发明专利]发光二极管封装结构及其制作方法

说明书

本发明提供一种发光二极管封装结构的制作方法，包括以下步骤。提供载板。形成重配置线路层于载板上。形成多个主动元件于载板上。转移多个发光二极管于重配置线路层上。发光二极管与主动元件分别与重配置线路层电性连接。主动元件适于分别驱动发光二极管。形成封装胶体于重配置线路层上，以包覆发光二极管。移除载板，以暴露出重配置线路层的底面。本发明的发光二极管封装结构，其解决的现有无法在玻璃基板的背面上焊接电子元件的问题，且具有低成本的优势。

技术领域

本发明涉及一种封装结构及其制作方法，尤其涉及一种发光二极管封装结构及其制作方法。

背景技术

目前大型微型发光二极管显示屏(Micro LED Display)主要是使用被动式驱动(PM Driving)的印刷电路板(PCB)背板，其缺点为需要大量的驱动芯片，因此价格较为昂贵。然而，主动式驱动(AM Driving)的薄膜晶体管(TFT)背板整合了驱动芯片线路于玻璃基板上，价格虽然较便宜，但因为玻璃基板无法在背面焊接电子元件，因而不易制成大型的显示屏。

发明内容

本发明是针对一种发光二极管封装结构，其解决的现有无法在玻璃基板的背面上焊接电子元件的问题，且具有低成本的优势。

本发明是针对一种发光二极管封装结构的制作方法，用以制作上述的封装结构，具有较低的制作成本。

根据本发明的实施例，发光二极管封装结构的制作方法，其包括以下步骤。提供载板。形成重配置线路层于载板上。形成多个主动元件于载板上。转移多个发光二极管于重配置线路层上。发光二极管与主动元件分别与重配置线路层电性连接。主动元件适于分别驱动发光二极管。形成封装胶体于重配置线路层上，以包覆发光二极管。移除载板，以暴露出重配置线路层的底面。

在根据本发明的实施例的发光二极管封装结构的制作方法中，上述于形成主动元件于载板上之前，先形成重配置线路层于载板上。

在根据本发明的实施例的发光二极管封装结构的制作方法中，上述的载板上具有离型膜，重配置线路层位于离型膜上。移除载板时，剥离离型膜，以分离重配置线路层与载板。

在根据本发明的实施例的发光二极管封装结构的制作方法中，上述的主动元件与发光二极管位于重配置线路层相对远离载板的一侧上。

在根据本发明的实施例的发光二极管封装结构的制作方法中，上述的每一发光二极管具有彼此相对的主动面与背面，而主动面位于背面与重配置线路层之间。

在根据本发明的实施例的发光二极管封装结构的制作方法中，上述的发光二极管封装结构的制作方法，还包括：于转移发光二极管于重配置线路层上之前，形成介电层于重配置线路层上，介电层覆盖主动元件，且介电层具有多个开口以暴露出部分重配置线路层。形成表面处理层于开口内且直接接触重配置线路层。

在根据本发明的实施例的发光二极管封装结构的制作方法中，上述的每一发光二极管具有彼此相对的主动面与背面，而背面位于主动面与重配置线路层之间。

在根据本发明的实施例的发光二极管封装结构的制作方法中，上述的发光二极管封装结构的制作方法，还包括：于形成封装胶体于重配置线路层上之前，形成介电层于重配置线路层上。介电层覆盖主动元件与发光二极管。每一发光二极管的主动面切齐于介电层的表面。介电层具有多个开口以暴露出部分重配置线路层。形成多条线路于开口内且延伸至介电层的表面以连接每一发光二极管的主动面。

在根据本发明的实施例的发光二极管封装结构的制作方法中，上述于形成重配置线路层于载板上之前，先形成主动元件于载板上。

在根据本发明的实施例的发光二极管封装结构的制作方法中，上述的载板上具有离型膜，而主动元件与重配置线路层位于离型膜上。

在根据本发明的实施例的发光二极管封装结构的制作方法中，上述移除载板时，剥离离型膜，以暴露出重配置线路层的底面以及主动元件的表面。