[发明专利]一种具有纵向线性变掺杂的深槽横向耐压区的制备方法

权利要求书

1.一种单侧具有纵向线性变掺杂的深槽横向耐压区的制备方法，包括以下步骤：

步骤1：在预清洗后衬底(01)上进行外延形成第一耐压区(04)；

步骤2：对第一耐压区进行刻蚀，于第一耐压区中形成第一矩形深槽，并再次进行外延，于第一矩形深槽内形成第二耐压区(05)；

步骤3：对第二耐压区进行斜槽加工，于第二耐压区中形成呈“倒梯形”的第一斜槽，且第一斜槽的开口宽度为w₁、斜槽侧壁倾角为β、深度为h；

步骤4：对第一斜槽侧壁进行带倾斜角度α的离子注入，于第一斜槽两侧侧壁分别形成第一种导电类型离子注入区(10)，该离子注入区(10)的宽度为w₂、深度为h，并满足：tanβ＝w₂/h；

步骤5：沿第一斜槽开口的左侧或右侧边沿，对第二耐压区和第一种导电类型离子注入区进行刻蚀，形成宽度为w₁+w₂、深度为h的第二矩形深槽，并于第二矩形深槽的左侧或右侧形成短直角边为w₂、长直角边为h的“倒直角三角形”第一种导电类型离子注入区，实现纵向线性变掺杂；

步骤6：对第二矩形深槽进行介质(03)填充，并于填充后进行平坦化；

步骤7：采用离子注入和淀积工艺完成器件有源区和电极的制作。

2.一种双侧具有纵向线性变掺杂的深槽横向耐压区的制备方法，包括以下步骤：

步骤1：在预清洗后衬底(01)上进行外延形成第一耐压区(04)；

步骤2：对第一耐压区进行刻蚀，于第一耐压区中形成第一矩形深槽，并再次进行外延，于第一矩形深槽内形成第二耐压区(05)；

步骤3：对第二耐压区进行斜槽加工，于第二耐压区中形成呈“倒梯形”的第一斜槽，且第一斜槽的开口宽度为w₁、斜槽侧壁倾角为β、深度为h；

步骤4：对第一斜槽侧壁进行带倾斜角度α的离子注入，于第一斜槽两侧侧壁分别形成第一种导电类型离子注入区(10)，该离子注入区(10)的宽度为w₂、深度为h，并满足：tanβ＝w₂/h；

步骤5：沿第一斜槽开口的左侧或右侧边沿，对第二耐压区和第一种导电类型离子注入区进行刻蚀，形成宽度为w₁+w₂、深度为h的第二矩形深槽，并于第二矩形深槽的左侧或右侧形成短直角边为w₂、长直角边为h的“倒直角三角形”第一种导电类型离子注入区，实现纵向线性变掺杂；

步骤6：对第二矩形深槽进行介质(03)填充，并于填充后进行平坦化；

步骤7：对介质和第二耐压区再次进行斜槽加工，形成呈“倒梯形”的第二斜槽，且第二斜槽的开口宽度为w₃、斜槽侧壁倾角为β、深度为h；

步骤8：对第二斜槽侧壁再次进行带倾斜角度α的离子注入，于第二斜槽的第二耐压区一侧形成第二种导电类型离子注入区(11)，该离子注入区(11)的宽度为w₂、深度为h，并满足：tanβ＝w₂/h；

步骤9：沿第二斜槽开口的第二耐压区侧边沿，对介质和第二种导电类型离子注入区进行刻蚀，形成宽度为w₃+w₂、深度为h的第三矩形深槽，将第二种导电类型离子注入区刻蚀为短直角边为w₂、长直角边为h的“倒直角三角形”的第二种导电类型离子注入区，实现纵向线性变掺杂；

步骤10：对第三矩形深槽再次进行介质填充，并于填充后进行平坦化；

步骤11：采用离子注入和淀积工艺完成器件有源区和电极的制作。