[发明专利]一种半导体晶圆的刷胶工艺方法有效
| 申请号： | 202010223463.X | 申请日： | 2020-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN111524815B | 公开（公告）日： | 2023-08-18 |
| 发明（设计）人： | 吴涛;杨银龙 | 申请（专利权）人： | 江苏长电科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/56 | 分类号： | H01L21/56;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京中济纬天专利代理有限公司 11429 | 代理人： | 赵海波 |
| 地址： | 214400 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 工艺 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体晶圆的刷胶工艺方法，其特征在于所述工艺包括以下步骤：
步骤一、对晶圆背面进行第一次刷胶；
步骤一中第一次刷胶胶层和步骤三中第二次刷胶胶层均采用绝缘胶；
步骤二、对第一次刷胶胶层进行全固化烘烤，使其与晶圆结合为一体；
步骤三、在第一次刷胶胶层上进行第二次刷胶；
步骤四、对第二次刷胶胶层进行半固化烘烤，至此，二次刷胶工艺完成，最终在晶圆背面形成两层不同固化程度的胶层。
2.根据权利要求1所述的一种半导体晶圆的刷胶工艺方法，其特征在于：步骤一中第一次刷胶胶层厚度为40~60um。
3.根据权利要求1所述的一种半导体晶圆的刷胶工艺方法，其特征在于：步骤二全固化烘烤后第一次刷胶胶层厚度为25~35um。
4.根据权利要求1所述的一种半导体晶圆的刷胶工艺方法，其特征在于：步骤三中第二次刷胶胶层厚度为25~45um。
5.根据权利要求1所述的一种半导体晶圆的刷胶工艺方法，其特征在于：步骤四半固化烘烤后胶层第二次刷胶胶层厚度为15~25um。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
