[发明专利]半导体的形成方法在审
| 申请号： | 202010159624.3 | 申请日： | 2020-03-10 |
| 公开（公告）号： | CN111326519A | 公开（公告）日： | 2020-06-23 |
| 发明（设计）人： | 何理;巨晓华;王奇伟;陈昊瑜;邵华 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/11524 | 分类号： | H01L27/11524;H01L27/11521;H01L27/11517 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 曹廷廷 |
| 地址： | 201315*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 形成 方法 | ||
1.一种半导体的形成方法，其特征在于，包括：
提供一衬底，在所述衬底上形成隧穿氧化层；
刻蚀所述隧穿氧化层和所述衬底形成浅沟槽隔离结构；
在所述隧穿氧化层和所述浅沟槽隔离结构依次形成多个浮栅，多个所述浮栅之间形成第一U形槽，所述浮栅表面形成有浮栅氧化物层；
刻蚀所述浮栅氧化物层露出所述浮栅表面；
刻蚀所述浮栅侧壁使得所述浮栅的宽度变小；
在刻蚀后的所述浮栅上形成ONO层，所述ONO层形成第二U形槽；
向所述第二U形槽内填充多晶硅并覆盖所述ONO层，刻蚀所述多晶硅形成控制栅。
2.如权利要求1所述的半导体的形成方法，其特征在于，所述刻蚀浮栅氧化物层使用的HF氢氟酸。
3.如权利要求1所述的半导体的形成方法，其特征在于，刻蚀所述浮栅侧壁使用的液体为氨水和双氧水的混合物。
4.如权利要求3所述的半导体的形成方法，其特征在于，所述所述氨水和双氧水的比例为：1:2～1:6。
5.如权利要求4所述的半导体的形成方法，其特征在于，所述刻蚀浮栅侧壁时使用的混合物的温度为60度～70度。
6.如权利要求4所述的半导体的形成方法，其特征在于，所述刻蚀浮栅侧壁的时间为4min～8min。
7.如权利要求1所述的半导体的形成方法，其特征在于，刻蚀所述浮栅侧壁后的浮栅宽度减少30％。
8.如权利要求7所述的半导体的形成方法，其特征在于，刻蚀所述浮栅侧壁后的浮栅宽度减少2nm。
9.如权利要求8所述的半导体的形成方法，其特征在于，刻蚀所述浮栅侧壁之前，所述第一U形槽的深度与宽度的比为4:1。
10.如权利要求9所述的半导体的形成方法，其特征在于，刻蚀所述浮栅侧壁之后，所述第一U形槽的深度与宽度的比为3:1。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
