[发明专利]封装基板及其制造方法在审
| 申请号: | 202010144124.2 | 申请日: | 2020-03-04 |
| 公开(公告)号: | CN111199948A | 公开(公告)日: | 2020-05-26 |
| 发明(设计)人: | 欧宪勋;廖顺兴;程晓玲;罗光淋;王鹏 | 申请(专利权)人: | 日月光半导体(上海)有限公司;日月光半导体制造股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L23/498 | 分类号: | H01L23/498;H01L21/48 |
| 代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 林斯凯 |
| 地址: | 201203 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 封装 及其 制造 方法 | ||
1.一种封装基板,其包括:
线路顶层;
线路底层;
第一绝缘层,其位于所述线路顶层与所述线路底层之间;以及
至少一个阶梯状斜侧面,该阶梯状斜侧面具有自所述线路顶层延伸至所述第一绝缘层的第一阶梯斜侧面及自所述第一绝缘层延伸至所述线路底层的第二阶梯斜侧面。
2.根据权利要求1所述的封装基板,其中所述第一绝缘层具有核心层。
3.根据权利要求1所述的封装基板,其中所述线路顶层进一步包括导电顶层,所述导电顶层上方设有抗氧化顶层。
4.根据权利要求3所述的封装基板,其中所述封装基板进一步包括:
侧导电层,其自所述导电顶层沿着所述至少一个阶梯状斜侧面延伸至所述线路底层;以及侧抗氧化层,其位于所述侧导电层上方,且自所述抗氧化顶层延伸。
5.根据权利要求4所述的封装基板,其进一步包括覆盖所述线路底层的抗氧化底层,所述抗氧化底层自所述侧抗氧化层延伸。
6.根据权利要求1所述的封装基板,其中所述线路底层进一步包括导电底层,所述导电底层下方设有抗氧化底层。
7.根据权利要求4或6所述的封装基板,其中所述导电顶层、所述侧导电层及所述导电底层为铜层。
8.根据权利要求4-6中任一权利要求所述的封装基板,其中所述抗氧化顶层、所述侧抗氧化层及所述抗氧化底层为镍金层。
9.根据权利要求3所述的封装基板,其中所述抗氧化顶层的侧面亦呈倾斜阶梯状。
10.一种封装基板料条,其包括根据权利要求1-9中任一权利要求所述的封装基板。
11.一种制造封装基板的方法,其包括:
提供具有若干封装基板单元的封装基板料条,每一所述封装基板单元包含:
线路顶层;
线路底层;及
第一绝缘层,其位于所述线路顶层和所述线路底层之间;
自所述线路顶层的上表面向下钻孔至所述第一绝缘层的部分而形成第一凹槽,所述第一凹槽具有自所述线路顶层延伸至所述第一绝缘层的第一阶梯斜侧面;及
自所述第一凹槽的底部钻孔至所述线路底层而形成第二凹槽,所述第二凹槽具有自所述第一绝缘层延伸至所述线路底层的第二阶梯斜侧面;以及
分割若干封装基板单元形成单独的封装基板。
12.根据权利要求11所述的制造封装基板的方法,其中所述线路顶层具有导电顶层,所述方法包括形成位于所述导电顶层上方的抗氧化顶层。
13.根据权利要求12所述的制造封装基板的方法,其进一步包括形成侧导电层,其自所述导电顶层沿着所述第一阶梯斜侧面及第二阶梯斜侧面延伸至所述线路底层;以及形成侧抗氧化层,其位于所述侧导电层上方,且自所述抗氧化顶层延伸。
14.根据权利要求13所述的制造封装基板的方法,其进一步包括形成覆盖所述线路底层的抗氧化底层,所述抗氧化底层自所述侧抗氧化层延伸。
15.根据权利要求11所述的制造封装基板的方法,其中所述线路底层包括导电底层,所述方法进一步包括形成位于所述导电底层下方的抗氧化底层。
16.根据权利要求12所述的制造封装基板的方法,其中所述抗氧化顶层的侧面亦呈倾斜阶梯状。
17.根据权利要求11所述的制造封装基板的方法,其中所述第一绝缘层具有核心层。
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