[发明专利]一种PIN二极管的制作方法

说明书

本发明涉及半导体技术领域，具体涉及一种PIN二极管的制作方法，该制作方法使用的检测台包括检测盘、检测探头、台架、电机和控制器；所述台架上安装有检测盘；所述检测盘的盘面上设置有数个检测孔；所述检测探头位于检测盘的上方；所述控制器通过控制电机驱动检测探头和检测盘的移动位置；由于PIN二极管的性能特点，需要对其光电强度的信号参数进行全检以筛选合格品；故此，本发明通过设置在检测盘上的检测孔，将单个的PIN二极管安装在检测孔内，通过检测盘内每个检测孔上布设的电路与检测探头的配合，使得检测台可以一次对多个PIN二极管进行检测筛选，提高了单次检测PIN二极管的数量，进而提升了质检效率。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，具体涉及一种PIN二极管的制作方法。

背景技术

普通的二极管由PN结组成，PIN二极管即在P型半导体材料和N型半导体材料之间加入一薄层低掺杂的本征(Intrinsic)半导体层，组成的这种P-I-N结构的二极管就是PIN二极管；PIN结构的二极管是一种特殊的电荷存储二极管，由于功耗小速度快的优点而被广泛应用，PIN结构的光电二极管是一种常用的光电探测器，光电探测器是一种通过光电效应探测光信号的器件；光敏二极管在可见光或近红外光波段作探测使用。

在目前PIN二极管的制作中，由于PIN结构的光电二极管的高精度特性，需要在成品质检阶段进行全检，以获得PIN二极管的准确参数值，目前采用的质检方法是在一批生产的PIN二极管中抽检数个进行单独检测，而难以保证每个PIN二极管的质检质量。

现有技术中也出现了一些PIN二极管及其制造方法的技术方案，如申请号为2011104318715的一项中国专利公开了一种PIN二极管的制作方法，包括以下步骤：在P型硅衬底中具有隔离结构；在隔离结构底部的P型硅衬底中具有P型赝埋层，作为PIN二极管的P型半导体部分；在两个隔离结构之间的P型硅衬底中具有第一N型掺杂区，该第一N型掺杂区作为PIN二极管的本征半导体部分，其与P型赝埋层相接触；在两个隔离结构之间且在第一N型掺杂区的表面具有掺杂浓度更高的第二N型掺杂区，在第二N型掺杂区之上具有N型多晶硅，该第二N型掺杂区与N型多晶硅一起作为PIN二极管的N型半导体部分；第一接触孔电极穿越P型多晶硅和隔离结构与P型赝埋层相接触；第二接触孔电极与N型多晶硅相接触；该技术方案公开了其制造方法，可降低制造成本，并具有较低的串联电阻，使各方向的电流均匀的优点，但是该方案同样没有解决PIN二极管在质检过程中低质检率的问题。

鉴于此，为了克服上述技术问题，本公司设计研发了一种PIN二极管的制作方法，采用了特殊的质检检测方法，解决了上述技术问题。

发明内容

为了弥补现有技术的不足，本发明提出的一种PIN二极管的制作方法，通过设置在检测盘上的检测孔，将单个的PIN二极管安装在检测孔内，通过检测盘内每个检测孔上布设的电路导线与检测探头的配合，使得检测台可以一次对多个PIN二极管进行检测筛选，提高了单次检测PIN二极管的数量，进而提升了质检效率。

本发明所述的一种PIN二极管的制作方法，包括以下步骤:

S1：以开始加工的硅片作为基底，选择高阻的P层或N层利用扩散法加工到硅片表面的同一侧，形成PIN二极管的I区，在P型硅衬底上刻蚀沟槽，并在沟槽底部注入P型杂质以形成P型赝埋层，接着以介质材料填充沟槽以形成隔离结构；在两个隔离结构之间的P型硅衬底中注入N型杂质并退火，从而形成与P型赝埋层相接触的第一N型掺杂区的二极管；

S2：将S1中制得的PIN二极管通过蒸镀的方法，在硅片表面分别淀积一层多晶硅和层间介质，对两个隔离结构之间的多晶硅和N型掺杂区注入N型杂质，从而形成N型多晶硅和掺杂浓度大于第一N型掺杂区的第二N型掺杂区，采用光刻蚀工艺在层间介质、P型多晶硅和隔离结构中刻蚀出底部与P型赝埋层相接触的第一通孔，还在层间介质中刻蚀出底部与N型多晶硅相接触的第二通孔，在通孔中填充金属形成接触孔电极；