[发明专利]一种PIN二极管的制作方法

权利要求书

1.一种PIN二极管的制作方法，其特征在于，该步骤如下：

S1：以开始加工的硅片作为基底，选择高阻的P层或N层利用扩散法加工到硅片表面的同一侧，形成PIN二极管的I区，在P型硅衬底上刻蚀沟槽，并在沟槽底部注入P型杂质，接着以介质材料填充沟槽以形成隔离结构；在两个隔离结构之间的P型硅衬底中注入N型杂质并退火；

S2：将S1中制得的二极管通过蒸镀的方法，在硅片表面分别淀积一层多晶硅和层间介质，对两个隔离结构之间的多晶硅和N型掺杂区注入N型杂质，采用光刻蚀工艺在层间介质、P型多晶硅和隔离结构中刻蚀出底部与P型杂质层相接触的第一通孔，还在层间介质中刻蚀出底部与N型多晶硅相接触的第二通孔，在通孔中填充金属形成接触孔电极；

S3：将S2中制得的PIN二极管转移至真空室中，通过自动焊接机将引脚安装至PIN二极管的接触孔电极上，接着将PIN二极管进行封装保护起来，最后通过质检工序中检测台的检测，筛选出满足性能参数的合格品；

其中，S3中所述的检测台包括检测盘(1)、检测探头(2)、台架(3)、电机和控制器；所述台架(3)上安装有检测盘(1)，台架(3)的横杆上设置有滑道(31)，台架(3)的一侧设有立座(32)；所述检测盘(1)的下方设有底板(11)；所述底板(11)的两侧滑动安装在台架(3)的滑道(31)上；所述检测盘(1)固定在底板(11)上，检测盘(1)的盘面上设置有数个检测孔(12)，检测盘(1)的外侧周向上设置有两个受电触点(13)；所述两受电触点(13)在检测盘(1)的周向上呈180度分布，受电触点(13)通过检测盘(1)内的电路导线(131)连接至每个检测孔(12)内，受电触点(13)分别作为检测盘(1)中电路导线(131)的正负极；所述检测探头(2)位于检测盘(1)的上方，检测探头(2)安装在台架(3)一侧的立座(32)上，检测探头(2)可以随立座(32)在竖直方向移动，检测探头(2)的下表面上设置有与检测孔(12)一一对应的凹孔，检测探头(2)的外侧周向上设置有两个送电触头(21)；所述送电触头(21)与受电触点(13)的位置相对应；所述台架(3)上设置有电机和控制器；所述控制器通过控制电机驱动检测探头(2)的上下移动和底板(11)在台架(3)滑道(31)上的移动位置。

2.根据权利要求1所述的一种PIN二极管的制作方法，其特征在于：所述检测盘(1)上设有气垫(14)；所述气垫(14)固定安装在检测盘(1)的盘面上，气垫(14)上设置有与检测孔(12)一一对应的通孔；所述检测孔(12)的内壁上设置有一对夹紧条(121)；检测孔(12)的侧壁上设有气囊(122)；所述夹紧条(121)对称分布在检测孔(12)的内壁上，夹紧条(121)通过检测盘(1)上的电路导线(131)分别连接至两受电触点(13)；所述气囊(122)与气垫(14)相连通；气囊(122)上朝向检测孔(12)中心的一侧上安装有夹紧条(121)。

3.根据权利要求2所述的一种PIN二极管的制作方法，其特征在于：所述气垫(14)上设置有环状的弧形板(141)；所述弧形板(141)为弹性材料，弧形板(141)固定在气垫(14)的通孔位置上，弧形板(141)的凸起端朝向检测孔(12)方向。

4.根据权利要求3所述的一种PIN二极管的制作方法，其特征在于：所述检测孔(12)的内部设有凸块(123)；所述凸块(123)凸起于检测孔(12)底部的中心位置，凸块(123)为圆台形的绝缘体，凸块(123)与检测孔(12)的内壁形成了下小上大的环形槽区。

5.根据权利要求4所述的一种PIN二极管的制作方法，其特征在于：所述检测孔(12)的侧壁上设置有一对斜棱柱(124)；所述斜棱柱(124)为对立设置在检测孔(12)内壁两侧的绝缘体，斜棱柱(124)均匀的分布在检测孔(12)内壁周向上一对夹紧条(121)之间的位置。

6.根据权利要求1所述的一种PIN二极管的制作方法，其特征在于：所述检测探头(2)上设有马达(22)；所述马达(22)安装在立座(32)的支杆上，马达(22)受控制器驱动检测探头(2)进行旋转，使得送电触头(21)对应上受电触点(13)的位置。