[发明专利]OLED显示基板及其制作方法、显示装置有效

专利信息
申请号: 202010116296.9 申请日: 2020-02-25
公开(公告)号: CN111312772B 公开(公告)日: 2022-10-25
发明(设计)人: 王国英;宋振;林奕呈 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司
主分类号: H01L27/32 分类号: H01L27/32
代理公司: 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 代理人: 许静;张博
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: oled 显示 及其 制作方法 显示装置
【权利要求书】:

1.一种OLED显示基板,其特征在于,包括:

衬底基板;

位于所述衬底基板上的有源层;

栅绝缘层,位于所述有源层远离所述衬底基板的一侧;

栅极层,位于所述栅绝缘层远离所述衬底基板的一侧,所述栅极层在所述衬底基板上的正投影与所述有源层在所述衬底基板上的正投影存在重叠区域,所述栅极层与所述有源层组成所述OLED显示基板的第一存储电容;

所述栅极层包括层叠设置的透明导电图形和金属图形,所述透明导电图形包括与所述金属图形不重叠的第一部分,所述OLED显示基板的像素开口区在所述衬底基板上的正投影落入所述第一部分在所述衬底基板上的正投影内。

2.根据权利要求1所述的OLED显示基板,其特征在于,还包括:

位于所述有源层朝向所述衬底基板一侧的缓冲层;

位于所述缓冲层朝向所述衬底基板一侧的遮光金属层,所述遮光金属层在所述衬底基板上的正投影与所述有源层在所述衬底基板上的正投影存在重叠区域,所述遮光金属层与所述有源层组成所述OLED显示基板的第二存储电容。

3.根据权利要求2所述的OLED显示基板,其特征在于,所述有源层包括:

半导体部,所述半导体部在所述衬底基板上的正投影与所述栅极层在所述衬底基板上的正投影存在重叠区域;

位于所述半导体部两端的导体部。

4.根据权利要求3所述的OLED显示基板,其特征在于,还包括:

位于所述缓冲层远离所述衬底基板一侧的层间介电层,覆盖所述栅绝缘层和所述栅极层,其中,所述缓冲层、所述层间介电层上设置有第一过孔,所述第一过孔的正投影覆盖至少部分所述遮光金属层,所述层间介电层上设置有第二过孔和第三过孔,所述第二过孔的正投影覆盖至少部分所述导体部,所述第三过孔的正投影覆盖至少部分所述栅极层;

位于所述层间介电层远离所述衬底基板一侧的源漏金属层,用于形成驱动晶体管的源极、漏极以及导电连接线,所述导电连接线通过所述第一过孔与所述遮光金属层连接,通过所述第三过孔与所述栅极层连接,所述源极和所述漏极分别通过所述第二过孔与所述半导体部两端的导体部连接。

5.根据权利要求4所述的OLED显示基板,其特征在于,还包括:

位于所述层间介电层远离所述衬底基板一侧的钝化层,覆盖所述源漏金属层;

位于所述钝化层远离所述衬底基板一侧的彩膜层;

位于所述彩膜层远离所述衬底基板一侧的平坦层,覆盖所述彩膜层;

其中,所述平坦层、所述钝化层上设置有第四过孔,所述第四过孔的正投影覆盖至少部分所述漏极;

位于所述平坦层远离所述衬底基板一侧的第一电极,所述第一电极通过所述第四过孔与所述漏极电连接;

位于所述第一电极远离所述衬底基板一侧的像素限定层,包括像素开口区,所述像素开口区的正投影位于所述彩膜层内;

位于所述像素开口区内的发光层;

位于所述发光层远离所述衬底基板一侧的第二电极。

6.一种OLED显示装置,其特征在于,包括如权利要求1-5任一项所述的OLED显示基板以及用于封装所述OLED显示基板的封装层。

7.一种OLED显示基板的制作方法,其特征在于,包括:

提供一衬底基板;

在所述衬底基板上形成有源层;

形成栅绝缘层,所述栅绝缘层位于所述有源层远离所述衬底基板的一侧;

形成栅极层,所述栅极层位于所述栅绝缘层远离所述衬底基板的一侧,所述栅极层与所述有源层组成所述OLED显示基板的第一存储电容;

形成所述栅极层包括:

形成层叠设置的透明导电图形和金属图形,所述透明导电图形包括与所述金属图形不重叠的第一部分,所述OLED显示基板的像素开口区在所述衬底基板上的正投影落入所述第一部分在所述衬底基板上的正投影内。

8.根据权利要求7所述的OLED显示基板的制作方法,其特征在于,形成所述有源层之前,所述方法还包括:

在所述衬底基板上形成遮光金属层;

在所述衬底基板上形成缓冲层,所述缓冲层覆盖所述遮光金属层,所述有源层位于所述缓冲层远离所述衬底基板的一侧,

其中,所述遮光金属层与所述有源层组成所述OLED显示基板的第二存储电容。

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