[发明专利]三维存储器件及在其沟道孔中形成外延结构的方法有效
| 申请号： | 202010090642.0 | 申请日： | 2018-03-14 |
| 公开（公告）号： | CN111276484B | 公开（公告）日： | 2021-06-29 |
| 发明（设计）人： | 杨号号;吕震宇;陈俊;胡禺石;陶谦;董金文 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L27/115 | 分类号： | H01L27/115;H01L27/11582;H01L27/1157;H01L27/11573;H01L27/11556;H01L27/11524;H01L27/11529 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 骆希聪 |
| 地址： | 430205 湖北省武汉市洪山区东*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 三维 存储 器件 沟道 形成 外延 结构 方法 | ||
1.一种在三维存储器件的沟道孔中形成外延结构的方法，包括以下步骤：
提供半导体结构，所述半导体结构包括核心区和辅助区，所述辅助区包括台阶区和穿过存储阵列的接触区；
使用针对所述核心区的第一光刻步骤在所述核心区形成沟道孔；
在所述沟道孔的底部形成外延结构；以及
使用针对所述辅助区的第二光刻步骤在所述台阶区中形成虚拟孔，在所述穿过存储阵列的接触区中形成沟槽。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述沟道孔的底部形成外延结构后还包括：在所述半导体结构上覆盖硬掩模层。
3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述沟道孔的底部形成外延结构时，所述虚拟孔和/或沟槽尚未形成。
4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，使用针对所述辅助区的第二光刻步骤在所述辅助区中形成虚拟孔和/或沟槽后还包括：在所述虚拟孔和/或沟槽中沉积氧化物以封闭所述虚拟孔和/或沟槽。
5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，所述虚拟孔和/或沟槽中的所述氧化物直接接触所述半导体结构底层的衬底。
6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，形成所述外延结构的方法包括选择性外延生长。
7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一光刻步骤和所述第二光刻步骤使用不同的光掩模。
8.一种在三维存储器件的沟道孔中形成外延结构的方法，包括以下步骤：
提供半导体结构，所述半导体结构包括核心区和辅助区，所述辅助区包括台阶区和穿过存储阵列的接触区；
使用针对所述辅助区的第一光刻步骤在所述台阶区中形成虚拟孔，在所述穿过存储阵列的接触区中形成沟槽；
使用针对所述核心区的第二光刻步骤在所述核心区形成沟道孔；以及
在所述沟道孔的底部形成外延结构，在所述沟道孔的底部形成外延结构时，所述虚拟孔和/或沟槽是封闭的。
9.如权利要求8所述的方法，其特征在于，使用针对所述辅助区的第一光刻步骤在所述辅助区中形成虚拟孔和/或沟槽后还包括：在所述虚拟孔和/或沟槽中沉积氧化物以封闭所述虚拟孔和/或沟槽。
10.如权利要求9所述的方法，其特征在于，所述虚拟孔和/或沟槽中的所述氧化物直接接触所述半导体结构底层的衬底。
11.如权利要求8所述的方法，其特征在于，形成所述外延结构的方法包括选择性外延生长。
12.如权利要求8所述的方法，其特征在于，所述第一光刻步骤和所述第二光刻步骤使用不同的光掩模。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
