[发明专利]封装结构及其形成方法

说明书

本公开一些实施例提供一种封装结构及一种形成封装结构的方法。所述方法包括在承载基板之上形成重分布结构以及将半导体晶粒放置在重分布结构之上。所述方法还包括将中介层基板堆叠在重分布结构之上。中介层基板延伸跨越半导体晶粒的边缘。所述方法还包括将一或多个装置元件放置在中介层基板之上。此外，所述方法还包括形成包围半导体晶粒的保护层。

技术领域

本公开一些实施例涉及半导体晶粒封装技术，特别涉及半导体晶粒封装结构及其形成方法。

背景技术

半导体集成电路(integrated circuit，IC)产业已经历了快速的成长。由于半导体制造工艺技术的不断进步，产生了具有更精细特征及/或更高整合度的半导体装置。功能密度(即，每一芯片区域内互连元件的数目)通常增加，而特征尺寸(即，可以使用制造工艺产出的最小构件)则缩小。这种尺寸缩小的工艺通常通过生产效率增加及制造成本降低而提供好处。

芯片封装不仅为半导体装置提供保护以免受环境污染，也为封装在其中的半导体装置提供连接接口。已经开发出利用更少的面积或更低的高度的更小的封装结构来封装半导体装置。

已经开发了新的封装技术以进一步提高半导体晶粒(dies)的密度和功能。这些相对较新的半导体晶粒封装技术目前面对许多制造挑战。

发明内容

本公开的一些实施例提供一种形成封装结构的方法，包括在承载基板之上形成重分布结构以及将半导体晶粒放置在重分布结构之上。所述形成封装结构的方法还包括将中介层基板堆叠在重分布结构之上。中介层基板延伸跨越半导体晶粒的边缘。所述形成封装结构的方法还包括将至少一装置元件放置在中介层基板之上。此外，所述形成封装结构的方法还包括形成包围半导体晶粒的保护层。

本公开的一些实施例提供一种形成封装结构的方法，包括将第一半导体晶粒堆叠在重分布结构之上。所述形成封装结构的方法还包括将中介层基板接合到重分布结构之上。中介层基板比第一半导体晶粒宽。所述形成封装结构的方法还包括将第二半导体晶粒堆叠在中介层基板之上。此外，所述形成封装结构的方法还包括形成包围第一半导体晶粒的保护层。

本公开的一些实施例提供一种封装结构，包括重分布结构、中介层基板、半导体晶粒以及保护层。中介层基板位于重分布结构之上，且中介层基板比重分布结构包含更多的填料。半导体晶粒位于重分布结构与中介层基板之间。保护层包围半导体晶粒，且保护层的一部分位于半导体晶粒与中介层基板之间。

附图说明

当阅读说明书附图时，从以下的详细描述能最佳理解本公开的各方面。应注意的是，各种特征并不一定按照比例绘制。事实上，可能任意地放大或缩小各种特征的尺寸，以做清楚的说明。

图1A至图1G是根据本公开一些实施例的形成一封装结构的工艺的各个阶段的剖视图。

图2是根据本公开一些实施例的一封装结构的剖视图。

图3A至图3H是根据本公开一些实施例的形成一封装结构的工艺的各个阶段的剖视图。

图4A至图4F是根据本公开一些实施例的形成一封装结构的工艺的各个阶段的剖视图。

图5A至图5F是根据本公开一些实施例的形成一封装结构的工艺的各个阶段的剖视图。

图6A至图6D是根据本公开一些实施例的形成一封装结构的工艺的各个阶段的剖视图。

图7A至图7G是根据本公开一些实施例的形成一封装结构的工艺的各个阶段的剖视图。

图8A至图8G是根据本公开一些实施例的形成一封装结构的工艺的各个阶段的剖视图。

图9是根据本公开一些实施例的一封装结构的剖视图。

附图标记说明：