[发明专利]封装结构及其形成方法有效
| 申请号： | 202010084354.4 | 申请日： | 2020-02-10 |
| 公开（公告）号： | CN111755344B | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | 蔡柏豪;林孟良;庄博尧;翁得期;郑心圃 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/56 | 分类号： | H01L21/56;H01L21/60;H01L23/485;H01L23/488;H01L23/31;H01L25/18;H10B80/00 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 谢强;黄艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 封装 结构 及其 形成 方法 | ||
1.一种形成一封装结构的方法，包括：
在一承载基板之上形成一重分布结构；
将一半导体晶粒放置在该重分布结构之上；
将一中介层基板堆叠在该重分布结构之上，其中，该中介层基板延伸跨越该半导体晶粒的边缘；
将至少一装置元件放置在该中介层基板之上；以及
形成包围该半导体晶粒的一保护层。
2.如权利要求1所述的形成一封装结构的方法，还包括将一封装模块堆叠在该重分布结构之上，其中该封装模块延伸跨越该中介层基板的边缘。
3.如权利要求2所述的形成一封装结构的方法，其中该保护层是在该封装模块被堆叠之后形成。
4.如权利要求1所述的形成一封装结构的方法，还包括将一第二半导体晶粒堆叠在该重分布结构之上，使得该重分布结构位于该半导体晶粒与该第二半导体晶粒之间。
5.如权利要求1所述的形成一封装结构的方法，还包括：
在形成该重分布结构之前，在该承载基板之上形成一第二重分布结构；
在形成该重分布结构之前，将一第二半导体晶粒放置在该第二重分布结构之上；以及
在形成该重分布结构之后，形成包围该第二半导体晶粒的一第二保护层，其中该重分布结构延伸跨越该第二半导体晶粒的边缘。
6.如权利要求1所述的形成一封装结构的方法，还包括在将该半导体晶粒放置在该重分布结构之上和将该中介层基板堆叠在该重分布结构之上之前，将该半导体晶粒接合到该中介层基板上。
7.如权利要求6所述的形成一封装结构的方法，还包括在堆叠该第二半导体晶粒之前，在该中介层基板之上形成一介电层，其中该介电层具有一基本上平坦的顶表面。
8.如权利要求6所述的形成一封装结构的方法，还包括：
形成包围该第二半导体晶粒的一第二保护层；以及
在该第二保护层和该第二半导体晶粒之上形成一第二重分布结构。
9.一种形成一封装结构的方法，包括：
将一第一半导体晶粒堆叠在一重分布结构之上；
将一中介层基板接合到该重分布结构之上，其中该中介层基板比该第一半导体晶粒宽；
将一第二半导体晶粒堆叠在该中介层基板之上；以及
形成包围该第一半导体晶粒的一保护层。
10.一种封装结构，包括：
一重分布结构；
一中介层基板，位于该重分布结构之上，其中该中介层基板比该重分布结构包含更多的填料；
一半导体晶粒，位于该重分布结构与该中介层基板之间；以及
一保护层，包围该半导体晶粒，其中该保护层的一部分位于该半导体晶粒与该中介层基板之间。
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