[发明专利]一种集成芯片及其制作方法和集成电路

权利要求书

1.一种集成芯片，其特征在于，包括相连接的砷化镓异质结双极晶体管和LC滤波器，所述砷化镓异质结双极晶体管包括：

衬底；

外延层；设置在所述衬底的上表面，采用砷化镓系材料制成；

发射极、基极和收集极，设置在所述外延层的上方；

钝化层，设置在所述发射极、基极和收集极的上方；

第一金属层，设置在所述钝化层的上方，与所述发射极、基极和收集极相连；

第二金属层，与所述第一金属层连接，且设置在所述第一金属层的上方；

所述LC滤波器包括相连接的电感和电容，所述电感包括：

电感绕线，设置在所述钝化层的上方；以及

电感端口，设置在所述电感绕线的上方，与所述电感绕线的端部连接；

所述电容包括：

下电极，设置在所述钝化层的上方；

电容介质，设置在所述下电极上；以及

上电极，设置在所述电容介质的上方；

其中，所述第二金属层与所述电感端口、所述上电极耦合；

所述电感绕线、所述下电极与所述第一金属层采用同一制成形成；所述电感端口、所述第二金属层和上电极通过同一道制程形成；

所述第二金属层与所述电感端口通过空气桥耦合，所述电感端口与所述上电极通过空气桥耦合；

所述集成芯片还包括：

背孔，贯穿所述衬底和外延层；以及

背面金属层，设置在所述衬底的下表面，通过所述背孔与所述发射极连接。

2.如权利要求1所述的一种集成芯片，其特征在于，包括相邻设置的晶体管区和LC滤波器区，所述晶体管区设置有砷化镓异质结双极晶体管，所述LC滤波器区设置有电感和电容，所述晶体管区和LC滤波器区包括：

第一钝化层，设置在所述外延层上；

第二钝化层，设置在所述第一钝化层；

第三钝化层，设置在所述第二钝化层上；以及

金属间电介质，设置在所述第三钝化层上；

所述晶体管区还包括：

发射极、基极和收集极，设置在所述外延层的上方，与所述外延层连接；

第一金属层，设置在所述发射极、基极和收集极的上方，且分别与所述发射极、基极和收集极连接；以及

第二金属层，设置在所述金属间电介质的上方，贯穿所述金属间电介质，且分别与所述发射极和收集极上方的第一金属层连接；

所述LC滤波器区包括电感区和电容区，所述电感区还包括：

电感绕线，设置在所述第三钝化层上；以及

电感端口，设置在所述金属间电介质的上方，包括电感输入电极和电感输出电极，所述电感输入电极与所述电感绕线的一端连接，所述电感输出电极与所述电感绕线的另一端连接；

所述电容区还包括：

下电极，设置在所述第三钝化层上；

电容介质，设置在所述下电极和金属间电介质之间；以及

上电极，设置在所述金属间电介质的上方，包括电容输入电极和电容输出电极，所述电容输入电极贯穿所述金属间电介质和电容介质，与所述下电极连接；所述电容输出电极贯穿所述金属间电介质，与所述电容介质连接；

其中，所述电感输入电极与所述收集极上方的第二金属层通过空气桥连接，所述电感输出电极与所述电容输入电极通过空气桥连接。

3.如权利要求2所述的一种集成芯片，其特征在于，所述集成芯片还包括与所述电容区或电感区相邻设置的电阻区，所述电阻区内设有电阻，所述电阻包括：

电阻薄膜，设置在所述第三钝化层上；

电阻输入电极，设置在所述金属间电介质上，与所述电阻薄膜连接；以及

电阻输出电极，设置在所述金属间电介质上，与所述电阻薄膜连接；

其中，所述电阻与所述电容或电感通过空气桥相连。