[发明专利]发光器件及其制造方法在审

专利信息
申请号: 202010072081.1 申请日: 2020-01-21
公开(公告)号: CN111261621A 公开(公告)日: 2020-06-09
发明(设计)人: 李刚 申请(专利权)人: 深圳大道半导体有限公司
主分类号: H01L25/075 分类号: H01L25/075;H01L33/48;H01L33/54;H01L33/62
代理公司: 深圳市瑞方达知识产权事务所(普通合伙) 44314 代理人: 林俭良;王少虹
地址: 518000 广东省深圳市龙华区大浪街*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 发光 器件 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种发光器件,其特征在于,包括基板、外接焊盘、第一发光组件以及第一光隔离墙;

所述基板包括相对的第一表面和第二表面,所述第一表面设有第一导电电路;所述外接焊盘设置在所述基板的第一表面和/或第二表面上并与所述第一导电电路导电连接;所述第一发光组件设置在所述基板的第一表面上并与所述第一导电电路导电连接;所述第一发光组件包括若干第一发光单元;每一所述第一发光单元包括至少一个发光芯片;

所述第一光隔离墙设置在所述第一表面上,并形成有若干独立的第一凹槽,每一所述第一发光单元位于一个对应的所述第一凹槽中,且所述第一光隔离墙的高度<所述发光芯片的高度。

2.根据权利要求1所述的发光器件,其特征在于,所述第一凹槽的侧壁与对应的所述第一发光单元的发光芯片的侧面相贴合或者留有空隙。

3.根据权利要求1所述的发光器件,其特征在于,所述基板内设有贯穿其第一表面和第二表面的导电通道;设置在所述基板第二表面的所述外接焊盘通过所述导电通道与所述第一导电电路导电连接。

4.根据权利要求1所述的发光器件,其特征在于,所述第一光隔离墙的最低点与所述发光芯片的最高点之间的高度差≥所述发光芯片厚度的0.2倍。

5.根据权利要求1所述的发光器件,其特征在于,所述第一光隔离墙由硅胶、树脂、油墨、玻璃釉、液体玻璃、涂料、热固化胶、感光油墨、感光胶中的一种或多种制成。

6.根据权利要求1所述的发光器件,其特征在于,所述发光器件还包括透光保护层;所述透光保护层设置在所述第一发光单元上,或者设置在所述第一发光单元以及部分或全部所述第一光隔离墙上;

所述透光保护层包裹所述发光芯片的表面和裸露的侧面;并且,所述透光保护层还填充所述第一光隔离墙与对应的所述发光芯片之间的空隙。

7.根据权利要求6所述的发光器件,其特征在于,所述透光保护层在所述发光芯片上的厚度小于0.15mm。

8.根据权利要求6所述的发光器件,其特征在于,所述透光保护层与所述基板的第一表面之间的部分或全部界面设有吸光层或反光层;所述吸光层或反光层的高度小于所述第一光隔离墙的高度。

9.根据权利要求6所述的发光器件,其特征在于,所述透光保护层为无色透明或掺有光致发光粉末、光扩散粉未和着色粉末中至少一种。

10.根据权利要求9所述的发光器件,其特征在于,所述光致发光粉末为荧光粉和/或量子点;

所述荧光粉包括YAG荧光粉、氧化物荧光粉、氮化物荧光粉、氟化物荧光粉、铝酸盐荧光粉、硅酸盐荧光粉、氮氧化物荧光粉中的一种或多种;

所述量子点包括硅量子点、锗量子点、硫化镉量子点、硒化镉量子点、碲化镉量子点、硒化锌量子点、硫化铅量子点、硒化铅量子点、磷化铟量子点和砷化铟量子点中的一种或多种;

所述光扩散粉末为微米、亚微米、纳米粒径的玻璃粉、陶瓷粉、氧化物粉和氮化物粉中的一种或多种;

所述着色粉末为微米、亚微米、纳米粒径的碳黑、氧化物粉和盐类中的一种或多种。

11.根据权利要求1-10任一项所述的发光器件,其特征在于,所述基板的第二表面设有第二导电电路;所述第二导电电路与所述外接焊盘导电连接。

12.根据权利要求11所述的发光器件,其特征在于,所述第二表面上设有与所述第二导电电路电连接的电子器件和/或第二发光组件。

13.根据权利要求12所述的发光器件,其特征在于,所述第二发光组件包括若干第二发光单元和第二光隔离墙;所述第二光隔离墙形成有若干独立的第二凹槽;每一所述第二发光单元包括至少一个发光芯片;

每一所述第二发光单元对应设置在一个对应的所述第二凹槽中;且所述第二光隔离墙的高度<所述第二发光单元的发光芯片的高度。

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