[发明专利]高密度封装引线框架结构

权利要求书

1.一种高密度封装引线框架结构，其特征在于，包括依次层叠设置的底部框架、至少一个引线框架和多个用于安装芯片且具有导电性的焊盘或凸起；每个引线框架包括自所述底部框架的顶面依次层叠设置的缓冲层和RDL线路层，所述焊盘或凸起设置于最远离所述底部框架的引线框架的RDL线路层上表面；所述缓冲层为低CTE值绝缘材料层，所述RDL线路层通过导通结构连接于所述底部框架的表面。

2.根据权利要求1所述的高密度封装引线框架结构，其特征在于，所述缓冲层的材质为低CTE值陶瓷类环氧树脂或二氧化硅类树脂。

3.根据权利要求1所述的高密度封装引线框架结构，其特征在于，所述导通结构包括填充铜浆导通孔、填充导热绝缘材料的导通孔或铜柱。

4.根据权利要求1所述的高密度封装引线框架结构，其特征在于，与所述底部框架距离最近的缓冲层为非连续结构，所述底部框架在框架内部形成台阶。

5.根据权利要求1所述的高密度封装引线框架结构，其特征在于，所述底部框架远离所述缓冲层表面设置有焊盘层，用于连接所述底部框架和基板。

6.根据权利要求5所述的高密度封装引线框架结构，其特征在于，所述焊盘层的表面涂覆有镍金层、镍钯金层、OSP层、银层、镍银金层、镍铅锡合金或锡银合金。

7.根据权利要求1所述的高密度封装引线框架结构，其特征在于，所述底部框架为金属铜框架、FR4材质线路板或BT类基板。

8.根据权利要求1所述的高密度封装引线框架结构，其特征在于，所述至少一个引线框架还包括导气槽，所述导气槽形成的气流通道连通所述底部框架和安装的芯片。

9.一种高密度封装结构，其特征在于，包括依次设置的基板、权利要求1-8任意一项所述的高密度封装引线框架结构、芯片；所述芯片通过所述高密度封装引线框架结构连接于所述基板上，且通过所述焊盘或凸起实现电性连接。

10.根据权利要求9所述的高密度封装结构，其特征在于，所述基板为陶瓷类环氧树脂或二氧化硅类树脂，或二氧化硅类PI。