[发明专利]封装结构及其成型方法

说明书

本发明涉及的一种封装结构及其成型方法，所述成型方法包括步骤：在封装模块处形成至少两个连接部；于所述封装模块上搭载一体化外连接框架结构，所述外连接框架结构的至少两个外连接部分别连接所述至少两个连接部，相邻外连接部之间的连接梁朝远离所述封装模块的一侧凸伸于所述外连接部；形成包封所述外连接部的塑封层；减薄所述外连接框架结构及所述塑封层，以使得所述连接梁与所述外连接部断开连接且所述外连接部暴露于所述塑封层。通过上述设置，可解决目前封装结构中将封装模块中的连接部露出塑封层表面时带来的工艺要求高、工艺复杂繁琐等问题。

技术领域

本发明涉及封装技术领域，尤其涉及一种封装结构及其成型方法。

背景技术

在POP封装和SIP封装等封装中，封装模块通常需要与其他外部模块进行电性连接或导热连接等连接。封装模块上形成塑封层之后，需要对塑封层再次加工，以将封装模块内用于外部连接的连接部露出塑封层表面。其中，封装模块可包括基板或芯片组件或两者组合，连接部则可以是基板内嵌设的焊盘、芯片组件上的设置的散热部或电性连接部等。

目前，业内通常有两种工艺加工方法来露出焊盘这个电性连接部：如图1所示，第一种工艺中，在局部塑封的POP封装结构中，先对塑封层9激光开孔再植入两颗金属球或一颗大金属球，金属球21与基板的焊盘311电性连接，以满足塑封层9表面的电性连接需求；如图2所示，第二种工艺中，将铜块22焊接至基板的焊盘311或在基板焊盘311生长形成铜柱22，使得铜块或铜柱露出塑封层9表面，以满足塑封层9表面的电性连接需求。

这两种方法工艺繁琐、工艺要求较高、成本较高，并且面临焊盘烧焦、金属球氧化、对位偏移、二次重融时位置偏移、金属表面不平整等风险。同时，塑封层表面还需单独加工以满足芯片组件表面的各种连接需求，使得封装结构整体加工工艺复杂繁琐、不利于量产。

发明内容

本发明的目的在于提供一种封装结构及其成型方法，以解决目前封装结构中将封装模块中的连接部露出塑封层表面时带来的工艺要求高、工艺复杂繁琐等问题。

为了实现上述发明目的之一，本发明一实施方式提供一种封装结构的成型方法，包括步骤：

在封装模块处形成至少两个连接部；

于所述封装模块上搭载一体化外连接框架结构，所述外连接框架结构的至少两个外连接部分别连接所述至少两个连接部，相邻外连接部之间的连接梁朝远离所述封装模块的一侧凸伸于所述外连接部；

形成包封所述外连接部的塑封层；

减薄所述外连接框架结构及所述塑封层，以使得所述连接梁与所述外连接部断开连接且所述外连接部暴露于所述塑封层。

作为本发明一实施方式的进一步改进，所述方法还包括：将芯片组件连接至基板以形成所述封装模块，所述基板处的焊盘作为第一连接部，所述芯片组件处的散热部作为第二连接部。

作为本发明一实施方式的进一步改进，所述方法还包括：将所述芯片组件处的电性连接部作为第三连接部。

作为本发明一实施方式的进一步改进，所述方法还包括：于所述连接部上设置互连结构，所述互连结构连接所述外连接部与所述连接部。

作为本发明一实施方式的进一步改进，所述方法还包括：形成包覆所述外连接框架结构的塑封层。

作为本发明一实施方式的进一步改进，所述方法还包括：对所述外连接框架结构及所述塑封层进行平面研磨或蚀刻，以完全除去所述连接梁。

作为本发明一实施方式的进一步改进，所述方法还包括：对金属结构一体成型加工形成所述外连接框架结构，所述连接梁连接所有外连接部。

作为本发明一实施方式的进一步改进，所述方法还包括：弯折所述金属结构的边缘形成竖直延伸的金属引脚，以作为第一外连接部。