[发明专利]封装结构及其成型方法在审
申请号: | 202010060987.1 | 申请日: | 2020-01-19 |
公开(公告)号: | CN113140469A | 公开(公告)日: | 2021-07-20 |
发明(设计)人: | 史海涛;林耀剑;周莎莎;何晨烨;陈建;陈雪晴 | 申请(专利权)人: | 江苏长电科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/50 | 分类号: | H01L21/50;H01L21/56;H01L23/31 |
代理公司: | 苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙) 32235 | 代理人: | 沈晓敏 |
地址: | 214430 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 封装 结构 及其 成型 方法 | ||
1.一种封装结构的成型方法,其特征在于,包括步骤:
在封装模块处形成至少两个连接部;
于所述封装模块上搭载一体化外连接框架结构,所述外连接框架结构的至少两个外连接部分别连接所述至少两个连接部,相邻外连接部之间的连接梁朝远离所述封装模块的一侧凸伸于所述外连接部;
形成包封所述外连接部的塑封层;
减薄所述外连接框架结构及所述塑封层,以使得所述连接梁与所述外连接部断开连接且所述外连接部暴露于所述塑封层。
2.根据权利要求1所述的封装结构的成型方法,其特征在于,步骤“在封装模块处形成至少两个连接部”具体包括:
将芯片组件连接至基板以形成所述封装模块,所述基板处的焊盘作为第一连接部,所述芯片组件处的散热部作为第二连接部。
3.根据权利要求2所述的封装结构的成型方法,其特征在于,在步骤“所述芯片组件处的散热部作为第二连接部”之后,所述方法还包括:
将所述芯片组件处的电性连接部作为第三连接部。
4.根据权利要求1所述的封装结构的成型方法,其特征在于,步骤“所述外连接框架结构的至少两个外连接部分别连接所述至少两个连接部”具体包括:
于所述连接部上设置互连结构,所述互连结构连接所述外连接部与所述连接部。
5.根据权利要求1所述的封装结构的成型方法,其特征在于,步骤“形成包封所述外连接部的塑封层”具体包括:
形成包覆所述外连接框架结构的塑封层。
6.根据权利要求1所述的封装结构的成型方法,其特征在于,步骤“减薄所述外连接框架结构及所述塑封层”具体包括:
对所述外连接框架结构及所述塑封层进行平面研磨或蚀刻,以完全除去所述连接梁。
7.根据权利要求1所述的封装结构的成型方法,其特征在于,在步骤“于所述封装模块上搭载一体化外连接框架结构”之前,所述方法还包括:
对金属结构一体成型加工形成所述外连接框架结构,所述连接梁连接所有外连接部。
8.根据权利要求7所述的封装结构的成型方法,其特征在于,步骤“对金属结构一体成型加工形成所述外连接框架结构”具体包括:
弯折所述金属结构的边缘形成竖直延伸的金属引脚,以作为第一外连接部。
9.根据权利要求7所述的封装结构的成型方法,其特征在于,步骤“对金属结构一体成型加工形成所述外连接框架结构”具体包括:
冲压所述金属结构的上表面形成凹陷部,所述凹陷部的下端作为第二外连接部。
10.根据权利要求8所述的封装结构的成型方法,其特征在于,步骤“弯折所述金属结构的边缘形成竖直延伸的金属引脚”具体包括:
至少两排金属引脚并列排布。
11.根据权利要求8所述的封装结构的成型方法,其特征在于,步骤“弯折所述金属结构的边缘形成竖直延伸的金属引脚”具体包括:
金属引脚的下端至少部分水平延伸形成延伸引脚。
12.根据权利要求1所述的封装结构的成型方法,其特征在于,
所述外连接部的上端表面积大于下端表面积。
13.一种封装结构,其特征在于,所述封装结构为通过权利要求1-12中任意一项方法成型的封装结构。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造