[发明专利]半导体装置

说明书

实施方式提供能够减小导通电阻的半导体装置。半导体装置具有第1电极、第1导电型的第1半导体区域、第2导电型的第2半导体区域、第1导电型的第3半导体区域、第1绝缘部、第2电极、栅极电极、第2绝缘部以及第3电极。第2电极设置在第1绝缘部中，具有在第2方向上与第1半导体区域对置的部分。栅极电极设置在第1绝缘部中，在第2方向上隔着栅极绝缘层而与第2半导体区域对置，与第2电极电分离。第2绝缘部与第1绝缘部相连。第2绝缘部的第1方向上的长度比第1半导体区域与第2电极之间的第1绝缘部的厚度长。第2绝缘部的第2方向上的长度比第1绝缘部的厚度的2倍短。第3电极与第2半导体区域、第3半导体区域以及第2电极电连接。

关联申请

本申请享受以日本专利申请2019－152836号(申请日：2019年8月23日)为基础申请的优先权。本申请通过参照该基础申请，包括该基础申请的全部内容。

技术领域

本发明的实施方式涉及半导体装置。

背景技术

金属氧化物半导体场效应晶体管(Metal Oxide Semiconductor Field EffectTransistor，MOSFET)等半导体装置用于电力转换等用途。期望的是，半导体装置的导通电阻低。

发明内容

本发明的实施方式提供能够减小导通电阻的半导体装置。

实施方式的半导体装置具有第1电极、第1导电型的第1半导体区域、第2导电型的第2半导体区域、第1导电型的第3半导体区域、第1绝缘部、第2电极、栅极电极、第2绝缘部、以及第3电极。上述第1半导体区域设置在上述第1电极之上，与上述第1电极电连接。上述第2半导体区域设置在上述第1半导体区域之上。上述第3半导体区域在上述第2半导体区域之上选择性地设置。上述第1绝缘部在与从上述第1电极朝向上述第1半导体区域的第1方向垂直的第2方向上，与上述第1半导体区域的一部分、上述第2半导体区域以及上述第3半导体区域并排。上述第2电极设置在上述第1绝缘部中，具有在上述第2方向上与上述第1半导体区域对置的部分。上述栅极电极设置在上述第1绝缘部中，在上述第2方向上隔着栅极绝缘层而与上述第2半导体区域对置，并与上述第2电极电分离。上述第2绝缘部与上述第1绝缘部相连。上述第2绝缘部的上述第1方向上的长度比上述第1半导体区域与上述第2电极之间的上述第1绝缘部的厚度长。上述第2绝缘部的上述第2方向上的长度比上述第1绝缘部的厚度的2倍短。上述第3电极设置在上述第2半导体区域以及上述第3半导体区域之上，与上述第2半导体区域、上述第3半导体区域、以及上述第2电极电连接。

附图说明

图1是表示第1实施方式的半导体装置的俯视图。

图2是包含图1的II－II截面的立体截面图。

图3是将图2的场板电极附近放大后的截面图。

图4的(a)～图8的(b)是表示第1实施方式的半导体装置的制造工序的工序截面图。

图9是表示第1实施方式的第1变形例的半导体装置的一部分的立体截面图。

图10是表示第1实施方式的第2变形例的半导体装置的一部分的立体截面图。

图11是表示第2实施方式的半导体装置的俯视图。

图12是表示图11的部分XII的俯视图。

图13是图12的XIII－XIII截面图。

图14是图12的XIV－XIV截面图。

图15是图12的XV-XV截面图。

具体实施方式

以下，参照附图对本发明的各实施方式进行说明。