[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，其中，具备：

第1电极；

第1导电型的第1半导体区域，设置在上述第1电极之上，与上述第1电极电连接；

第2导电型的第2半导体区域，设置在上述第1半导体区域之上；

第1导电型的第3半导体区域，在上述第2半导体区域之上选择性地设置；

第1绝缘部，在与从上述第1电极朝向上述第1半导体区域的第1方向垂直的第2方向上，与上述第1半导体区域的一部分、上述第2半导体区域以及上述第3半导体区域并排；

第2电极，设置在上述第1绝缘部中，具有在上述第2方向上与上述第1半导体区域对置的部分；

栅极电极，设置在上述第1绝缘部中，在上述第2方向上隔着栅极绝缘层而与上述第2半导体区域对置，并与上述第2电极电分离；

第2绝缘部，与上述第1绝缘部相连，上述第2绝缘部的上述第1方向上的长度比上述第1半导体区域与上述第2电极之间的上述第1绝缘部的厚度长，上述第2方向上的长度比上述第1绝缘部的厚度的2倍短；以及

第3电极，设置在上述第2半导体区域以及上述第3半导体区域之上，与上述第2半导体区域、上述第3半导体区域以及上述第2电极电连接。

2.如权利要求1所述的半导体装置，其中，

还具备设置在上述第1电极与上述第1半导体区域之间的第1导电型的第4半导体区域；

上述第4半导体区域中的第1导电型的杂质浓度比上述第1半导体区域中的第1导电型的杂质浓度高；

上述第2绝缘部的下端在上述第1方向上与上述第4半导体区域分离。

3.如权利要求1或2所述的半导体装置，其中，

上述第2绝缘部的上述第2方向上的长度越朝向下方越短。

4.如权利要求1或2所述的半导体装置，其中，

上述第1绝缘部、上述第2绝缘部、上述栅极电极以及上述第2电极各自在上述第2方向上被设置多个；

上述第1半导体区域具有：

第1部分，位于在上述第2方向上相邻的上述第1绝缘部彼此之间；以及

第2部分，位于在上述第2方向上相邻的上述第2绝缘部彼此之间；

上述第2部分的上述第2方向上的长度比上述第1部分的上述第2方向上的长度长。

5.如权利要求4所述的半导体装置，其中，

上述第1绝缘部、上述第2绝缘部、上述栅极电极以及上述第2电极各自在与上述第1方向垂直且与上述第2方向交叉的第3方向上被设置多个；

上述第2绝缘部的上述第3方向上的长度比上述第1绝缘部的厚度的2倍短。

6.如权利要求5所述的半导体装置，其中，

上述第1半导体区域具有：

第3部分，位于在上述第3方向上相邻的上述第1绝缘部彼此之间；以及

第4部分，位于在上述第3方向上相邻的上述第2绝缘部彼此之间；

上述第4部分的上述第3方向上的长度比上述第3部分的上述第3方向上的长度长。

7.如权利要求1或2所述的半导体装置，其中，

在上述第2绝缘部设有空隙。

8.如权利要求1或2所述的半导体装置，其中，

上述第1绝缘部以及上述第2绝缘部包含氧化硅。

9.如权利要求1或2所述的半导体装置，其中，

上述第2绝缘部的上述第1方向上的上述长度相对于上述第2电极的上述第1方向上的长度的比为0.5以上2.0以下。

10.如权利要求1或2所述的半导体装置，其中，

上述第2绝缘部的上述第2方向上的上述长度相对于上述第2电极的上述第2方向上的长度的比为0.5以上2.0以下。

11.如权利要求1或2所述的半导体装置，其中，

上述第1电极与上述第2绝缘部之间的上述第1方向上的距离相对于上述第1电极与上述第2半导体区域之间的上述第1方向上的距离的比为0.1以上0.5以下。