[发明专利]一种芯片封装结构在审

专利信息
申请号: 202010009743.0 申请日: 2020-01-06
公开(公告)号: CN113078135A 公开(公告)日: 2021-07-06
发明(设计)人: 廖勇波;史波;曹俊;曾丹;肖婷;江伟 申请(专利权)人: 珠海零边界集成电路有限公司;珠海格力电器股份有限公司
主分类号: H01L23/495 分类号: H01L23/495;H01L23/31;H01L23/49
代理公司: 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 代理人: 刘红彬
地址: 519015 广东省珠海*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 芯片 封装 结构
【说明书】:

发明涉及芯片封装技术领域,公开了一种芯片封装结构,该芯片封装结构包括基座,基座形成有用于流经冷媒的通孔;形成于基座外表面的导电电路层;形成于导电电路层背离通孔一侧的至少一个芯片,每个芯片通过焊接部固定于导电电路层;用于将支撑结构、导电电路层、芯片进行封装的封装层;至少一个引脚,每一个引脚的一端伸入封装层内以与对应的芯片电性连接,另一端探出封装层。该芯片封装结构包括具有管状结构的基座的外表面设置芯片,从而可以实现多面封装,提高利用率,基座的通孔内有冷媒流经,从而可以实现对芯片更好的散热,该芯片封装结构可以达到高利用率以及高散热率,从而在满足高散热需求的同时实现小型化。

技术领域

本发明涉及芯片封装技术领域,特别涉及一种芯片封装结构。

背景技术

随着战略新兴产业的崛起,电力电子器件及装置在风能、太阳能、热泵、水电、生物质能、绿色建筑、新能源设备等先进制造业中将发挥重要作用,在投资增量需求与节能需求的双重推动,及下游电力电子装置行业需求高速发展的拉动下,电力电子市场在高速发展。

而电力半导体,诸如电力MOSFET(金属-氧化物半导体场效应晶体管)以及IGBT(绝缘栅双极型晶闸管)等器件作为电力电子器件市场的主力军,已趋于成熟,在未来为了更进一步提高系统的可靠性,电力电子技术会向高频化、小型化、模块化发展方向,但随着器件的高频化、小型化、模块化,器件的发热更加严重,散热面积也越来越小,相应的对器件或模块的散热要求也越来越高,而现有技术中的封装结构无法满足高散热需求。

发明内容

本发明提供了一种芯片封装结构,该芯片封装结构能够提高芯片封装后的散热效率,同时该芯片封装结构能够增加封装利用率。

为达到上述目的,本发明提供以下技术方案:

一种芯片封装结构,包括:

基座,所述基座形成有用于流经冷媒的通孔以使所述基座具有管状结构;

形成于所述基座外表面的导电电路层;

形成于所述导电电路层背离所述通孔一侧的至少一个芯片,每个所述芯片通过焊接部固定于所述导电电路层;

用于将支撑结构、导电电路层、芯片进行封装的封装层;

至少一个引脚,每一个所述引脚的一端伸入所述封装层内以与对应的芯片电性连接,另一端探出所述封装层。

上述芯片封装结构包括基座以及形成于基座外表面上且层叠设置的导电电路层、焊接部、芯片以及封装层,其中,基座形成有用于流经冷媒的通孔,封装层不覆盖上述通孔的开口,以保证冷媒可以在通孔内流通,从而实现芯片的散热;上述芯片封装结构中具有管状结构的基座的外表面设置芯片,从而可以实现多面封装,提高利用率,基座的通孔内有冷媒流经,从而可以实现对芯片更好的散热,该芯片封装结构可以达到高利用率以及高散热率,从而在满足高散热需求的同时实现小型化。

优选地,还包括用于将所述导电电路层划分为多个独立的区域以进行电性隔离的隔离槽。

优选地,所述芯片通过导电电路层与所述引脚电性连接;或者,所述芯片直接与所述引脚电性连接。

优选地,所述芯片通过焊线与所述导电电路层电性连接,所述导电电路层通过焊线与所述引脚电性连接;或者,所述芯片通过焊线与所述引脚电性连接。

优选地,所述基座为设置有通孔的多边形管状结构。

优选地,所述基座为设置有通孔的四边形管状结构,且所述四边形管状结构沿所述通孔的轴向包括两个相对的面积较大的侧壁以及两个相对的面积较小的侧壁,所述芯片形成于两个相对的面积较大的侧壁上。

优选地,所述基座形成的通孔中,垂直于所述中心轴的截面的形状为圆形;或者,所述基座形成的通孔中,垂直于所述中心轴的截面的形状为多边形。

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