[发明专利]阵列基板及其制备方法、显示面板

说明书

本发明涉及一种阵列基板及其制备方法、显示面板。该阵列基板包括衬底、覆盖衬底的缓冲层。其中，缓冲层包括第一区域及环绕第一区域的第二区域，位于第二区域的缓冲层的氢离子浓度大于位于第一区域的缓冲层的氢离子浓度。该阵列基板，可以通过氢离子与驱动结构中的悬挂键的结合，降低位于第二区域的悬挂键对驱动结构的载流子迁移率产生的影响。由此使用该阵列基板制备显示面板时，可以提升位于缓冲层第二区域的显示子面板的亮度，使该阵列基板制成的不同OLED显示子面板的亮度均一性提高。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，特别是涉及阵列基板及其制备方法、显示面板。

背景技术

OLED(Organic Light Emitting Display，有机发光二极管)显示器是一种利用有机半导体材料制成的，且使用直流电压驱动的薄膜发光器件。

TFT(Thin-film transistor，薄膜晶体管)是场效应晶体管的种类之一。传统技术中，通常使用TFT和电容构成OLED显示面板的驱动结构。

发明人在实现传统技术的过程中发现：同时制作的显示面板之间的亮度均一性较差。

发明内容

基于此，有必要针对传统技术中存在的不同显示面板在低灰阶时亮度均一性较差的问题，提供一种阵列基板及其制备方法、显示面板。

一种阵列基板，包括：衬底；缓冲层，覆盖于所述衬底，所述缓冲层包括第一区域及环绕所述第一区域的第二区域，位于所述第二区域的所述缓冲层的氢离子浓度大于位于所述第一区域的所述缓冲层的氢离子浓度。

在其中一个实施例中，位于所述第二区域的所述缓冲层的厚度大于位于所述第一区域的所述缓冲层的厚度。

上述阵列基板，缓冲层的第二区域的厚度大于缓冲层的第一区域的厚度，基于缓冲层的第二区域的氢离子浓度大于缓冲层的第一区域的氢离子浓度，可以进一步增加缓冲层的第二区域的氢离子数量，从而提升使用该阵列基板制成的不同显示子面板的亮度均一性。

在其中一个实施例中，还包括驱动结构，覆盖所述缓冲层远离所述衬底的表面，且所述驱动结构同时覆盖所述第一区域和所述第二区域。所述驱动结构包括：层间绝缘层，位于所述缓冲层远离所述衬底的一侧，所述层间绝缘层包括第三区域和环绕所述第三区域的第四区域，沿所述阵列基板的层叠方向，所述第三区域在所述缓冲层上的正投影在所述第一区域的范围内，所述位于第四区域的所述层间绝缘层的氢离子浓度大于位于所述第三区域的所述层间绝缘层的氢离子浓度。

上述阵列基板的驱动结构包括层间绝缘层，该层间绝缘层包括第三区域和环绕第三区域的第四区域，位于第四区域的层间绝缘层的氢离子浓度大于位于第三区域的层间绝缘层的氢离子浓度。由此，通过氢离子与驱动结构中的悬挂键的结合，可以使由该阵列基板制备的显示面板位于第二区域的显示子面板的亮度得到提升，从而提升使用该阵列基板制成的不同显示子面板的亮度均一性。

在其中一个实施例中，所述驱动结构还包括：

第一极板，位于所述层间绝缘层靠近所述缓冲层的一侧；

第二极板，位于所述层间绝缘层远离所述缓冲层的一侧，且所述第二极板与所述第一极板构成储能电容；

所述储能电容包括第一电容和第二电容，沿所述阵列基板的层叠方向，所述第一电容在所述缓冲层上的正投影位于所述第一区域内，所述第二电容在所述缓冲层上的正投影位于所述第二区域内，所述第二电容的电容值小于所述第一电容。

上述阵列基板的驱动结构还包括第一电容和第二电容。第一电容在缓冲层的正投影位于第一区域内，第二电容在缓冲层的正投影位于第二区域内。第二电容的电容值小于第一电容。以此，可以使位于阵列基板边缘的第二电容相较于第一电容更容易充满电荷，从而提升位于边缘区域的显示子面板的亮度，提升使用该阵列基板制成的不同显示子面板的亮度均一性。