[发明专利]阵列基板及其制备方法、显示面板

权利要求书

1.一种阵列基板，其特征在于，包括：

衬底(110)；

缓冲层(120)，覆盖于所述衬底(110)，所述缓冲层(120)包括第一区域(122)及环绕所述第一区域(122)的第二区域(124)，位于所述第二区域(124)的所述缓冲层(120)的氢离子浓度大于位于所述第一区域(122)的所述缓冲层(120)的氢离子浓度；

驱动结构(130)，覆盖所述缓冲层(120)远离所述衬底(110)的表面，且所述驱动结构(130)同时覆盖所述第一区域(122)和所述第二区域(124)；其中，所述驱动结构(130)包括有源层(132)，所述有源层(132)为图案化的多晶硅薄膜。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，位于所述第二区域(124)的所述缓冲层(120)的厚度大于位于所述第一区域(122)的所述缓冲层(120)的厚度。

3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，

所述驱动结构(130)包括：层间绝缘层(136)，位于所述缓冲层(120)远离所述衬底(110)的一侧，所述层间绝缘层(136)包括第三区域(1362)和环绕所述第三区域(1362)的第四区域(1364)，沿所述阵列基板(10)的层叠方向，所述第三区域(1362)在所述缓冲层(120)上的正投影在所述第一区域(122)的范围内，所述位于第四区域(1364)的所述层间绝缘层(136)的氢离子浓度大于位于所述第三区域(1362)的所述层间绝缘层(136)的氢离子浓度。

4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述驱动结构(130)还包括：

第一极板(1382)，位于所述层间绝缘层(136)靠近所述缓冲层(120)的一侧；

第二极板(1384)，位于所述层间绝缘层(136)远离所述缓冲层(120)的一侧，且所述第二极板(1384)与所述第一极板(1382)构成储能电容(138)；

所述储能电容(138)包括第一电容(137)和第二电容(139)，沿所述阵列基板(10)的层叠方向，所述第一电容在(137)所述缓冲层(120)上的正投影位于所述第一区域(122)内，所述第二电容(139)在所述缓冲层(120)上的正投影位于所述第二区域(124)内，所述第二电容(139)的电容值小于所述第一电容(137)。

5.根据权利要求3或4所述的阵列基板，其特征在于，位于所述第四区域(1364)的所述层间绝缘层(136)的厚度大于位于所述第三区域(1362)的所述层间绝缘层(136)的厚度。

6.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述第二电容(139)的两极板的正对面积小于所述第一电容(137)的两极板的正对面积。

7.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，包括：

提供衬底(110)；

将所述衬底(110)置于反应腔室(20)内部，并向所述反应腔室(20)内通入甲硅烷和氨气的混合气体，以制备缓冲层(120)，所述缓冲层(120)包括第一区域(122)及环绕所述第一区域(122)的第二区域(124)，所述位于第二区域(124)的缓冲层(120)的氢离子浓度大于位于所述第一区域(122)的缓冲层(120)的氢离子浓度；

在所述缓冲层(120)远离所述衬底(110)的一侧形成驱动结构(130)，所述驱动结构(130)覆盖所述缓冲层(120)远离所述衬底(110)的表面，且所述驱动结构(130)同时覆盖所述第一区域(122)和所述第二区域(124)；其中，所述驱动结构(130)包括有源层(132)，所述有源层(132)为图案化的多晶硅薄膜。