[发明专利]半导体装置以及电力变换装置

说明书

SBD(100)具备：末端阱区域(2)，以包围活性区域(RI)的方式形成于漂移层(1)的表层部；场绝缘膜(3)，形成为覆盖末端阱区域(2)的一部分；表面电极(5)，形成于比场绝缘膜(3)靠内侧的漂移层(1)上，并与末端阱区域(2)电连接；表面保护膜(6)，覆盖表面电极(5)的外侧的端部；以及背面电极(8)，形成于单晶基板(31)的背面。以末端阱区域(2)的外侧的端部的位置为基准，末端区域(RO)的拐角部处的表面电极(5)的外侧的端部相比于末端区域(RO)的直线部处的表面电极(5)的外侧的端部而位于内侧。

技术领域

本发明涉及半导体装置以及电力变换装置，特别是涉及具有表面保护膜的半导体装置以及使用了该半导体装置的电力变换装置。

背景技术

在功率器件等中使用的纵型的半导体装置中，为了确保耐压性能，已知在n型的半导体层的外周部的所谓的末端区域(terminal region)设置p型的保护环区域(末端阱区域)的技术(例如下述的专利文献1)。在具有保护环区域的半导体装置中，对半导体装置的主电极施加反向电压时产生的电场通过n型的半导体层与p型的保护环区域之间的形成pn结的耗尽层而被缓和。

在专利文献1的肖特基势垒二极管(Schottky Barrier Diode：SBD)中，除了进行导线键合的区域以外，表面电极被作为表面保护膜的聚酰亚胺所覆盖。另外，有时也使用凝胶等密封材料来密封肖特基势垒二极管。这样的表面保护膜以及密封材料不限于SBD，也能够应用于MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor，金属氧化物半导体场效应晶体管)等其它半导体装置。

现有技术文献

专利文献1：日本特开2013-211503号公报

发明内容

聚酰亚胺等表面保护膜以及凝胶等密封材料在高湿度下容易含有水分。该水分有可能会对表面电极带来恶劣影响。具体而言，有时表面电极溶解到水分中、或者表面电极与水分进行反应而析出绝缘物。在这样的情况下，在表面电极与表面保护膜的界面中容易引起表面保护膜的剥离。表面保护膜发生剥离而产生的表面电极的外周中的表面保护膜的下部的空洞作为泄露通路发挥作用，有可能破坏半导体装置的绝缘可靠性。

本发明是为了解决如上所述的问题而完成的，其目的在于提供一种绝缘可靠性高的半导体装置。

本发明所涉及的半导体装置具备：半导体基板；第1导电类型的漂移层，形成于所述半导体基板上；第2导电类型的末端阱区域，在活性区域的外侧的末端区域中，以在俯视时包围所述活性区域的方式形成于所述漂移层的表层部；场绝缘膜，以覆盖所述末端阱区域的一部分的方式形成于所述漂移层上；表面电极，形成于比所述场绝缘膜靠内侧的所述漂移层上，并与所述末端阱区域电连接；上表面膜，形成于所述场绝缘膜以及所述表面电极上，覆盖所述表面电极的外侧的端部；以及背面电极，形成于所述半导体基板的背面，所述末端区域在俯视时具有直线部以及拐角部，以所述末端阱区域的外侧的端部的位置为基准，所述末端区域的拐角部处的所述表面电极的外侧的端部相比于所述末端区域的直线部处的所述表面电极(5；50)的外侧的端部而位于内侧。

根据本发明所涉及的半导体装置，能够抑制在末端区域的拐角部处绝缘物析出到表面电极，防止上表面膜的剥离。由此，能够对半导体装置的绝缘可靠性的提高作出贡献。

本发明的目的、特征、方式以及优点通过以下的详细的说明和附图而会变得更加清楚。

附图说明

图1是示出本发明的实施方式1所涉及的半导体装置的结构的部分剖面图。

图2是示出本发明的实施方式1所涉及的半导体装置的结构的平面图。

图3是示出本发明的实施方式1所涉及的半导体装置的结构的部分剖面图。

图4是示出本发明的实施方式1所涉及的半导体装置的结构的平面图。