[发明专利]半导体装置以及电力变换装置

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，具备：

半导体基板(31)；

第1导电类型的漂移层(1)，形成于所述半导体基板(31)上；

第2导电类型的末端阱区域(2；20)，在活性区域(RI)的外侧的末端区域(RO)中，以在俯视时包围所述活性区域(RI)的方式形成于所述漂移层(1)的表层部；

场绝缘膜(3)，以覆盖所述末端阱区域(2；20)的一部分的方式形成于所述漂移层(1)上；

表面电极(5；50)，形成于比所述场绝缘膜(3)靠内侧的所述漂移层(1)上，并与所述末端阱区域(2；20)电连接；

上表面膜(6)，形成于所述场绝缘膜(3)以及所述表面电极(5；50)上，覆盖所述表面电极(5；50)的外侧的端部；以及

背面电极(8)，形成于所述半导体基板(31)的背面，

所述末端区域(RO)在俯视时具有直线部以及拐角部，

以所述末端阱区域(2；20)的外侧的端部的位置为基准，所述末端区域(RO)的拐角部处的所述表面电极(5；50)的外侧的端部相比于所述末端区域(RO)的直线部处的所述表面电极(5；50)的外侧的端部而位于内侧。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

所述表面电极(5；50)的外侧的端部相比于所述末端阱区域(2；20)的外侧的端部而位于内侧，

关于从所述末端阱区域(2；20)的外侧的端部至所述表面电极(5；50)的外侧的端部为止的距离，所述末端区域(RO)的拐角部处的该距离比所述末端区域(RO)的直线部处的该距离长。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

所述表面电极(5；50)的外侧的端部相比于所述末端阱区域(2；20)的外侧的端部而位于外侧，

关于从所述末端阱区域(2；20)的外侧的端部至所述表面电极(5；50)的外侧的端部为止的距离，所述末端区域(RO)的拐角部处的该距离比所述末端区域(RO)的直线部处的该距离短。

4.根据权利要求1至3中的任一项所述的半导体装置，其中，

所述半导体装置还具备：

第2导电类型的阱区域(9)，形成于所述活性区域(RI)的所述漂移层(1)的表层部；

第1导电类型的源极区域(11)，形成于所述阱区域(9)的表层部；

栅极绝缘膜(12)，覆盖所述阱区域(9)中的所述源极区域(11)与所述漂移层(1)之间的区域即沟道区域；

栅极电极(13)，形成于所述栅极绝缘膜(12)上；以及

层间绝缘膜(14)，覆盖所述栅极电极(13)，

所述表面电极(50)包括：

源极电极(51)，形成于所述层间绝缘膜(14)上，通过形成于所述层间绝缘膜(14)的接触孔而与所述源极区域(11)电连接；以及

栅极布线(52)，以在俯视时包围所述表面电极(50)的方式形成于所述层间绝缘膜(14)上，通过形成于所述层间绝缘膜(14)的接触孔而与所述栅极电极(13)电连接。

5.根据权利要求1至4中的任一项所述的半导体装置，其中，

所述半导体装置具备相互保持间隔而嵌套状地形成的多个所述末端阱区域(2；20)。

6.根据权利要求5所述的半导体装置，其中，

所述表面电极(5；50)与多个所述末端阱区域(2；20)之中的至少一个末端阱区域电连接。

7.根据权利要求1至6中的任一项所述的半导体装置，其中，

所述半导体基板(31)由碳化硅构成。

8.一种电力变换装置，具备：

主变换电路(2001)，该主变换电路具有权利要求1至7中的任一项所述的半导体装置，该主变换电路将所输入的电力进行变换后输出；

驱动电路(2002)，将驱动所述半导体装置的驱动信号输出到所述半导体装置；以及

控制电路(2003)，将控制所述驱动电路(2002)的控制信号输出到所述驱动电路(2002)。