[发明专利]功率半导体模块以及电力变换装置在审
| 申请号: | 201980094857.5 | 申请日: | 2019-04-09 |
| 公开(公告)号: | CN113646876A | 公开(公告)日: | 2021-11-12 |
| 发明(设计)人: | 藤田淳 | 申请(专利权)人: | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号: | H01L21/52 | 分类号: | H01L21/52;H02M7/48 |
| 代理公司: | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人: | 金春实 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 功率 半导体 模块 以及 电力 变换 装置 | ||
功率半导体模块(1)具备电路基板(10)、包含半导体基板(20)的功率半导体元件(19)以及至少一个接合部(5)。至少一个接合部(5)包含远离半导体基板(20)的第1金属构件(12)、靠近半导体基板(20)的第2金属构件(23)以及将第1金属构件(12)和第2金属构件(23)互相接合的接合层(15)。在同一温度下,第1金属构件(12)的0.2%屈服强度比第2金属构件(23)的0.2%屈服强度更小,并且比接合层(15)的剪切强度更小。
技术领域
本发明涉及功率半导体模块及电力变换装置。
背景技术
日本特开2008-41707号公报(专利文献1)公开了具备半导体元件、金属基板和将半导体元件接合到金属基板的接合层的半导体装置。在该半导体装置中,在同一温度下,接合层的0.2%屈服强度等于金属基板的0.2%屈服强度或者更大。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2008-41707号公报
发明内容
本发明的目的是延长功率半导体模块及电力变换装置的寿命。
用于解决课题的手段
本发明的功率半导体模块具备电路基板、包含半导体基板的功率半导体元件以及至少一个接合部。至少一个接合部包含远离半导体基板的第1金属构件、靠近半导体基板的第2金属电路构件以及将第1金属构件和第2金属构件互相接合的接合层。在同一温度下,第1金属构件的0.2%屈服强度比第2金属构件的0.2%屈服强度更小,并且比接合层的剪切强度更小。
本发明的电力变换装置具备主变换电路和控制电路。主变换电路具有本发明的功率半导体模块,并且被构成为将所输入的电力进行变换并输出。控制电路被构成为将控制主变换电路的控制信号输出到主变换电路。
发明效果
第1金属构件的0.2%屈服强度比第2金属构件的0.2%屈服强度更小,并且比接合层的剪切强度更小。因此,即使对功率半导体模块施加冷热循环,也会在远离半导体基板的第1金属构件中选择性地产生裂纹。通过接合层,防止该裂纹进展到功率半导体元件中。能够防止在功率半导体元件中发生裂纹。根据本发明的功率半导体模块及电力变换装置,能够延长功率半导体模块及电力变换装置的寿命。
附图说明
图1是实施方式1的功率半导体模块的概要平面图。
图2是实施方式1的功率半导体模块的在图1中所示出的剖面线II-II中的概要剖面图。
图3是示出实施方式1的功率半导体模块的制造方法的一个工序的概要剖面图。
图4是示出实施方式1的功率半导体模块的制造方法中的在图3中所示出的工序的后继工序的概要剖面图。
图5是示出实施方式1的功率半导体模块的制造方法中的在图4中所示出的工序的后继工序的概要剖面图。
图6是示出实施方式1的功率半导体模块的制造方法中的在图5中所示出的工序的后继工序的概要剖面图。
图7是示出实施方式1的功率半导体模块的制造方法中的在图6中所示出的工序的后继工序的概要剖面图。
图8是实施方式2的功率半导体模块的概要剖面图。
图9是实施方式3的功率半导体模块的概要平面图。
图10是实施方式3的功率半导体模块的在图9中所示出的剖面线X-X中的概要剖面图。
图11是实施方式4的功率半导体模块的概要剖面图。
图12是示出实施方式5的电力变换系统的结构的框图。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三菱电机株式会社,未经三菱电机株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201980094857.5/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





