[发明专利]具有用于2晶体管竖直存储器单元的共享读取/写入数据线的存储器装置

说明书

一些实施例包含设备和形成所述设备的方法。所述设备中的一个包含第一数据线、第二数据线、导电线以及耦合到所述第一和第二数据线的存储器单元。所述存储器单元包含第一晶体管和第二晶体管。所述第一晶体管包含电耦合到所述第一和第二数据线的第一区，以及与所述第一区电分离的电荷存储结构。所述第二晶体管包含与所述第一区电分离的第二区，所述第二区电耦合到所述电荷存储结构和所述第二数据线。所述导电线与所述第一和第二沟道区电分离。所述导电线的一部分跨越所述第一晶体管的所述第一区的一部分和所述第二晶体管的所述第二区的一部分。

相关申请

本申请要求2018年12月26日提交的第62/782,142号美国临时申请的优先权，所述美国临时申请以全文引用的方式并入本文中。

背景技术

存储器装置广泛用于计算机和许多其它电子物品中来存储信息。存储器装置通常分类成两种类型：易失性存储器装置和非易失性存储器装置。易失性存储器装置的实例包含动态随机存取存储器(DRAM)装置。非易失性存储器装置的实例包含快闪存储器装置(例如，快闪存储器棒)。存储器装置通常具有存储信息的许多存储器单元。在易失性存储器装置中，如果供应功率与存储器装置断开连接，那么存储于存储器单元中的信息丢失。在非易失性存储器装置中，即使供应功率与存储器装置断开连接，存储于存储器单元中的信息也保留。

本文中的描述涉及易失性存储器装置。最常规易失性存储器装置将信息以电荷形式存储在包含于存储器单元中的电容器结构中。随着对装置存储密度的需求增加，许多常规技术提供缩小存储器单元的大小以便增大给定装置区域的装置存储密度的方式。然而，如果存储器单元大小收缩到某一尺寸，那么物理限制和制造约束可能对此类常规技术设置造成挑战。不同于一些常规存储器装置，本文描述的存储器装置包含可克服常规技术所面对的挑战的特征。

附图说明

图1示出根据本文描述的一些实施例的呈包含易失性存储器单元的存储器装置形式的设备的框图。

图2示出根据本文描述的一些实施例的包含二晶体管(2T)存储器单元的存储器阵列的存储器装置的一部分的示意图。

图3示出根据本文描述的一些实施例的包含在存储器装置的读取操作期间使用的实例电压的图2的存储器装置。

图4示出根据本文描述的一些实施例的包含在存储器装置的写入操作期间使用的实例电压的图2的存储器装置。

图5、图6、图7和图8示出根据本文描述的一些实施例的图2的存储器装置的结构的不同视图。

图9A到图9R示出根据本文描述的一些实施例的形成存储器装置的过程。

图10A到图10E示出根据本文描述的一些实施例的形成另一存储器装置的过程，图10A到图10E所示的形成存储器装置的过程可以是形成图9A到图9R的存储器装置的过程的变化形式。

图11A、图11B和图11C示出根据本文描述的一些实施例的包含存储器单元的多个叠组的存储器装置结构的不同视图。

具体实施方式

本文描述的存储器装置包含易失性存储器单元，其中存储器单元中的每一个可包含两个晶体管(2T)。两个晶体管中的一者具有电荷存储结构，其可形成存储器单元的存储器元件以存储信息。本文描述的存储器装置可具有允许存储器装置的大小相对小于类似常规存储器装置的大小的结构(例如，4F2单元覆盖面积)。所描述的存储器装置可以包含控制存储器单元的两个晶体管的信号存取线。这可以降低功耗并改进处理。下文参考图1到图10E论述所描述存储器装置和其变化形式的其它改进和益处。