[发明专利]具有用于2晶体管竖直存储器单元的共享读取/写入数据线的存储器装置

权利要求书

1.一种设备，其包括：

第一数据线；

第二数据线；

存储器单元，其耦合到所述第一和第二数据线，所述存储器单元包含：

第一晶体管，其包含电耦合到所述第一和第二数据线的第一区，与所述第一区电分离的电荷存储结构；以及

第二晶体管，其包含与所述第一区电分离的第二区，所述第二区电耦合到所述电荷存储结构和所述第二数据线；以及

导电线，其与所述第一和第二区电分离，所述导电线的一部分跨越所述第一晶体管的所述第一区的一部分和所述第二晶体管的所述第二区的一部分。

2.根据权利要求1所述的设备，其中所述第一区包含所述第一晶体管的沟道区，并且所述第二区包含所述第二晶体管的沟道区。

3.根据权利要求1所述的设备，其中所述导电线是用于存取所述存储器单元的存取线的一部分。

4.根据权利要求1所述的设备，其中所述第一区包含p型半导体材料，所述第二区包含n型半导体材料。

5.根据权利要求1所述的设备，其中所述第一区包含半导体材料块。

6.根据权利要求2所述的设备，其中所述第二区包含氧化物材料块，并且所述电荷存储结构包含直接耦合到所述氧化物材料块的金属块和半导体材料块中的一者。

7.根据权利要求2所述的设备，其中所述第二区包含以下中的至少一者：氧化锌锡(ZTO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnOx)、氧化铟镓锌(IGZO)、氧化铟镓硅(IGSO)、氧化铟(InOx，In2O3)、氧化锡(SnO2)、氧化钛(TiOx)、氮氧化锌(ZnxOyNz)、氧化镁锌(MgxZnyOz)、氧化铟锌(InxZnyOz)、氧化铟镓锌(InxGayZnzOa)、氧化锆铟锌(ZrxInyZnzOa)、氧化铪铟锌(HfxInyZnzOa)、氧化锡铟锌(SnxInyZnzOa)、氧化铝锡铟锌(AlxSnyInzZnaOd)、氧化硅铟锌(SixInyZnzOa)、氧化锌锡(ZnxSnyOz)、氧化铝锌锡(AlxZnySnzOa)、氧化镓锌锡(GaxZnySnzOa)、氧化锆锌锡(ZrxZnySnzOa)、氧化铟镓硅(InGaSiO)和磷化镓(GaP)。

8.根据权利要求1所述的设备，其中所述第一区和所述导电线位于衬底上方，并且所述第一区比所述导电线更靠近所述衬底。

9.根据权利要求1所述的设备，其中所述第一和第二晶体管具有不同的阈值电压。

10.根据权利要求1所述的设备，其中所述第二晶体管的阈值电压大于所述第一晶体管的阈值电压。

11.根据权利要求1所述的设备，其中当所述电荷存储结构处于第一状态时所述第一晶体管具有小于零的第一阈值电压，并且当所述电荷存储结构处于第二状态时所述第一晶体管具有小于零的第二阈值电压，并且所述第一和第二状态表示存储于所述存储器单元中的信息的不同值。

12.一种设备，其包括：

第一导电区，其位于所述设备的第一层级中；

第二导电区，其位于所述设备的第二层级中；

存储器单元，其位于所述第一与第二层级之间并耦合到所述第一和第二导电区，所述存储器单元包含：

第一材料，其在所述设备的第三层级中位于所述第一与第二层级之间，所述第一材料形成所述存储器单元的存储器元件；

第二材料，其在所述设备的第四层级中位于所述第二与第三层级之间，所述第二材料接触所述第一材料和所述第二导电区；以及；

半导体材料，其与所述第一和第二材料电分离，所述半导体材料接触所述第一和第二导电区。

13.根据权利要求12所述的设备，其中所述第二材料包含半导体材料块。