[发明专利]原子层沉积法用薄膜形成原料、薄膜的制造方法以及醇盐化合物

说明书

一种原子层沉积法用薄膜形成原料，其含有由下述通式(1)表示的醇盐化合物。(式中，R¹表示氢原子或碳原子数1～5的烷基。R²和R³分别独立地表示碳原子数1～5的烷基。z¹表示1～3的整数。)

技术领域

本发明涉及一种含有具有特定的结构的醇盐化合物的原子层沉积法用薄膜形成原料、薄膜的制造方法以及醇盐化合物。

背景技术

包含锡原子的薄膜显示出特异的电特性。因此，包含锡原子的薄膜被应用于透明电极、电阻膜、阻挡膜等各种用途。

作为薄膜的制造法，例如可列举出：溅射法、离子镀(ion plating)法、涂布热分解法、溶胶凝胶法等MOD(metal organic deposition：金属有机沉积)法、CVD(chemicalvapor deposition：化学气相沉积)法等。其中，由于具有组成控制性和台阶包覆性(stepcoverage)优异、适合于量产化、能混合集成(hybrid integration)等许多优点，因此原子层沉积法(以下，有时称为ALD(Atomic layer deposition)法)是最佳的制造工艺。

报告了各种能用于CVD法和ALD法这样的气相薄膜形成法的材料。能应用于ALD法的薄膜形成原料需要被称为ALD窗口(ALD window)的温度区域足够宽。因此，即使为能用于CVD法的薄膜形成原料，多数情况下也不适合于ALD法，这被认为是本技术领域中的技术常识。

作为用作CVD法用原料的锡化合物，已知各种锡化合物。例如，在专利文献1中，公开了能有效应用于金属有机物化学气相沉积法(MOCVD：metal organic chemical vapordeposition)的锡的氨基醇盐络合物。在专利文献1中，作为锡的氨基醇盐络合物，具体公开了(二甲基氨基－2－甲基－2－丙氧基)锡(II)和(二甲基氨基－2－甲基－丁氧基)锡(II)。在专利文献1，关于将锡的氨基醇盐络合物用作ALD法用原料没有任何公开。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2009－227674号公报

发明内容

发明所要解决的问题

对原子层沉积法用薄膜形成原料要求ALD窗口足够宽、热稳定性优异、与反应性气体在低温度下反应、能生产率良好地制造品质良好的薄膜。其中，强烈要求ALD窗口宽、能得到品质良好的薄膜的原子层沉积法用薄膜形成原料。然而，在专利文献1中具体公开的(二甲基氨基－2－甲基－2－丙氧基)锡(II)和(二甲基氨基－2－甲基－丁氧基)锡(II)的ALD窗口极端地窄，因此在将这些化合物用作原子层沉积法用薄膜形成原料的情况下，难以控制薄膜的形成。假设将这些化合物用作原子层沉积法用薄膜形成原料，即使在窄的温度区域内通过ALD法形成薄膜，每一个循环所得到的膜厚也会较薄。因此，即使将这些化合物用作原子层沉积法用薄膜形成原料，也存在成膜速度慢，而且薄膜中大量混入残留碳成分的技术问题。

因此，本发明的目的在于，提供一种能生产率良好地制造含有锡原子的品质良好的薄膜的原子层沉积法用薄膜形成原料以及使用了该原料的薄膜的制造方法。

用于解决问题的方案

本发明人等进行了反复研究，其结果是，发现了通过将具有特定的结构的锡化合物用作原子层沉积法用薄膜形成原料，能解决上述技术问题，从而完成了本发明。

即，本发明是一种原子层沉积法用薄膜形成原料，其含有由下述通式(1)表示的醇盐化合物。