[发明专利]支撑管芯和包括横向移位的竖直互连的多个存储器管芯的接合组件及其制造方法

说明书

本发明提供了一种接合组件，所述接合组件包括：第一存储器管芯，所述第一存储器管芯包括第一三维存储器器件；第二存储器管芯，所述第二存储器管芯包括第二三维存储器器件；以及支撑管芯，所述支撑管芯接合到所述第一存储器管芯并且包括外围电路，所述外围电路被配置为控制所述第一三维存储器器件和所述第二三维存储器器件。所述第一存储器管芯包括多行第一管芯近侧接合垫、多行第一管芯远侧接合垫和多个第一管芯横向移位导电路径，所述多个第一管芯横向移位导电路径连接所述第一管芯近侧接合垫中的相应第一管芯近侧接合垫和所述第一管芯远侧接合垫中的相应第一管芯远侧接合垫，所述相应第一管芯远侧接合垫与所述第一管芯近侧接合垫中的所述相应第一管芯近侧接合垫横向偏移。所述第一存储器管芯和所述第二存储器管芯可具有相同的布局，并且电连接可通过所述第一存储器管芯移位所述偏移距离。

相关申请

本申请要求提交于2019年2月28日的美国非临时专利申请序列号16/288,656的优先权的权益，该美国非临时专利申请的全部内容以引用的方式并入本文。

技术领域

本公开整体涉及半导体器件领域，并且具体地讲，涉及使用由直通介电通孔结构提供的竖直互连来堆叠半导体管芯的方法以及由直通介电通孔结构形成的接合组件。

背景技术

包括每个单元具有一个位的三维竖直NAND串的三维存储器器件在T.Endoh等人的标题为“Novel Ultra High Density Memory With A Stacked-Surrounding GateTransistor(S-SGT)Structured Cell(具有堆叠的围绕栅极晶体管(S-SGT)结构化单元的新型超高密度存储器)”，IEDM Proc.(2001)33-36的文章中公开。

发明内容

根据本公开的一个实施方案，提供了一种接合组件，该接合组件包括：第一存储器管芯，该第一存储器管芯包括第一三维存储器器件；第二存储器管芯，该第二存储器管芯包括第二三维存储器器件；以及支撑管芯，该支撑管芯接合到第一存储器管芯并且包括被配置为控制第一三维存储器器件和第二三维存储器器件的外围电路，并且包括多行支撑管芯接合垫，其中该第一存储器管芯包括：多行第一管芯近侧接合垫，该多行第一管芯近侧接合垫沿着第一方向延伸并且沿着第二方向间隔开，并且在第一接合界面平面处接合到该支撑管芯；多行第一管芯远侧接合垫，该多行第一管芯远侧接合垫沿着第一方向延伸并且沿着第二方向间隔开，并且在第二接合界面平面处接合到第二存储器管芯；以及多个第一管芯横向移位导电路径，该多个第一管芯横向移位导电路径连接第一管芯近侧接合垫中的相应第一管芯近侧接合垫和第一管芯远侧接合垫中的相应第一管芯远侧接合垫，该相应第一管芯远侧接合垫沿着第二方向与第一管芯近侧接合垫中的相应第一管芯近侧接合垫横向偏移。

根据本公开的另一个实施方案，提供了一种形成接合组件的方法，该方法包括：提供第一存储器管芯，该第一存储器管芯包括第一三维存储器器件，该第一三维存储器器件包括第一管芯绝缘层和第一管芯导电层的第一管芯交替堆叠以及延伸穿过该第一管芯交替堆叠的第一管芯存储器堆叠结构；提供第二存储器管芯，该第二存储器管芯包括第二三维存储器器件，该第二三维存储器器件包括第二管芯绝缘层和第二管芯导电层的第二管芯交替堆叠以及延伸穿过该第二管芯交替堆叠的第二管芯存储器堆叠结构；接合与第一存储器管芯接合的支撑管芯，其中该支撑管芯包括被配置为控制第一管芯存储器堆叠结构和第二管芯存储器堆叠结构的外围电路以及多行支撑管芯接合垫，其中该第一存储器管芯包括：多行第一管芯近侧接合垫，该第一管芯近侧接合垫沿着第一方向延伸并且沿着第二方向间隔开，并且在第一接合界面平面处接合到该支撑管芯；多行第一管芯远侧接合垫，该多行第一管芯远侧接合垫沿着第一方向延伸并且沿着第二方向间隔开，并且在第二接合界面平面处接合到第二存储器管芯；以及多个第一管芯横向移位导电路径，该多个第一管芯横向移位导电路径连接第一管芯近侧接合垫中的相应第一管芯近侧接合垫和第一管芯远侧接合垫中的相应第一管芯远侧接合垫，该相应第一管芯远侧接合垫沿着第二方向与第一管芯近侧接合垫中的相应第一管芯近侧接合垫横向偏移。

附图说明