[发明专利]沉积氮化硅膜的方法

权利要求书

1.一种用于在堆栈上沉积氮化硅层的方法，所述方法包括提供包括多个循环的原子层沉积，其中每个循环包括：

通过提供含硅前体气体而用含硅前体为堆栈投料；

提供N₂等离子体转化；以及

提供H₂等离子体转化。

2.如权利要求1所述的方法，其中，所述含硅前体是卤化硅。

3.如权利要求1所述的方法，其中，在所述堆栈的所述投料期间，将所述堆栈保持在至少150℃的温度。

4.如权利要求1所述的方法，其中，所述堆栈的所述投料是无等离子体的。

5.如权利要求1所述的方法，其中，每个循环不含NH₃。

6.如权利要求1所述的方法，其中，提供所述N₂等离子体转化包括：

使N₂气体流动；

将所述N₂气体转换为N₂等离子体；

将所述堆栈暴露于所述N₂等离子体；以及

停止所述N₂气体的所述流动。

7.如权利要求6所述的方法，其中，提供所述H₂等离子体转化包括：

使H₂气体流动；

将所述H₂气体转换为H₂等离子体；

将所述堆栈暴露于所述H₂等离子体；以及

停止所述H₂气体的所述流动。

8.如权利要求7所述的方法，其中，在使所述H₂气体流动之前使所述N₂气体流动。

9.如权利要求1所述的方法，其中，所述含硅前体是碘化硅。

10.如权利要求1所述的方法，其中，所述含硅前体是氯化硅或溴化硅。

11.如权利要求1所述的方法，还包括在提供所述H₂等离子体转化之后以及在对所述堆投料之前，吹扫由所述H₂等离子体转化形成的H₂等离子体。

12.如权利要求1所述的方法，还包括在对所述堆栈投料之后并且在提供所述N₂等离子体转化之前，吹扫所述含硅前体气体。

13.一种用于在堆栈上沉积氮化硅原子层沉积物的设备，所述设备包括：

处理腔室；

在所述处理腔室内的衬底支撑件；

用于向所述处理腔室内提供气体的进气口；

用于将所述气体提供给所述进气口的气体源，其中，所述气体源包括：

含硅的前体源；

N₂气体源；和

H₂气体源；

用于从所述处理腔室泵送气体的排气泵；

用于在所述处理腔室中提供RF功率的电极；

用于向所述电极供电的至少一个电源；以及

可控制地连接至所述气体源和所述至少一个电源的控制器，其中，所述控制器包括：

至少一个处理器；和

计算机可读介质，其包括：

用于通过提供多个循环，通过将氮化硅层原子层沉积在堆栈上而进行沉积的计算机代码，其中，所述多个循环中的每个循环包括：

通过提供来自所述含硅前体源的含硅前体气体而用含硅前体为所述堆栈投料；

提供N₂等离子体转化；以及

提供H₂等离子体转化。