[发明专利]后段工艺集成金属-绝缘体-金属电容器

权利要求书

1.一种电容器，包括：

第一电极，包括导电后段工艺层；

第二电极，包括氮化物基金属；以及

蚀刻停止层，位于所述第一电极与所述第二电极之间。

2.根据权利要求1所述的电容器，其中所述蚀刻停止层包括高K材料、或所述高K材料和低K材料的组合。

3.根据权利要求1所述的电容器，其中所述蚀刻停止层包括氧掺杂碳和氮化铝的组合。

4.根据权利要求3所述的电容器，其中所述蚀刻停止层还包括氧掺杂铝。

5.根据权利要求1所述的电容器，其中所述蚀刻停止层在下部四个后段工艺层中的一个层中。

6.根据权利要求1所述的电容器，其中所述蚀刻停止层包括五纳米与十纳米之间的厚度。

7.根据权利要求1所述的电容器，其中所述第一电极包括铜(Cu)、钴(Co)或钌(Ru)。

8.根据权利要求1所述的电容器，其中所述第二电极包括氮化钛(TiN)、氮化钽(TaN)、或氮化钨(WN)。

9.一种制作电容器的方法，包括：

形成第一电极，所述第一电极包括导电后段工艺(BEOL)层；

在所述第一电极上沉积蚀刻停止层；以及

在所述蚀刻停止层上制作第二电极，所述第二电极包括氮化物基金属。

10.根据权利要求9所述的方法，其中沉积所述蚀刻停止层包括：沉积高K材料、或所述高K材料和低K材料的组合。

11.根据权利要求9所述的方法，其中沉积所述蚀刻停止层包括：沉积氧掺杂碳和氮化铝的组合。

12.根据权利要求9所述的方法，其中沉积所述蚀刻停止层还包括：沉积氧掺杂铝。

13.根据权利要求9所述的方法，还包括：将所述蚀刻停止层沉积在下部四个后段工艺层的一个层中。

14.根据权利要求9所述的方法，其中沉积所述蚀刻停止层包括：沉积具有五纳米与十纳米之间的厚度的所述蚀刻停止层。

15.一种电容器，包括：

用于互连所制作的器件和衬底上的布线互连件的部件；

电极，包括氮化物基金属；以及

蚀刻停止层，位于所述互连部件与所述电极之间。

16.根据权利要求15所述的电容器，其中所述蚀刻停止层包括高K材料、或所述高K材料和低K材料的组合。

17.根据权利要求15所述的电容器，其中所述蚀刻停止层包括氧掺杂碳和氮化铝的组合。

18.根据权利要求17所述的电容器，其中所述蚀刻停止层还包括氧掺杂铝。

19.根据权利要求15所述的电容器，其中所述蚀刻停止层在下部四个后段工艺层中的一个层中。

20.根据权利要求15所述的电容器，其中所述蚀刻停止层包括五纳米与十纳米之间的厚度。