[发明专利]氧化镓基板研磨用组合物

说明书

提供：在氧化镓基板的研磨中可实现高研磨速率与高面品质的兼顾的研磨用组合物、使用该研磨用组合物的氧化镓基板的研磨方法及制造方法。[解决方法]根据此处公开的技术，提供一种用于氧化镓基板的研磨的研磨用组合物。该研磨用组合物包含磨粒和水。通过使用这样的研磨用组合物进行研磨，可以提升对氧化镓基板的研磨速率，且可实现具有良好的面品质的氧化镓基板。

技术领域

本发明涉及研磨用组合物，详细而言，涉及用于氧化镓基板的研磨的研磨用组合物。本申请基于2018年9月28日申请的日本专利申请2018-185526号及2019年3月28日申请的日本专利申请2019-062384号主张优先权，并将这些申请的全部内容并入本说明书中作为参照。

背景技术

作为光学装置用基板、功率器件用基板等化合物半导体基板的材料，例如已知有氧化铝(典型而言为蓝宝石)、氧化硅、氧化镓、氧化锆等氧化物、氮化铝、氮化硅、氮化镓等氮化物、碳化硅等碳化物。

发明内容

发明要解决的问题

上述的化合物半导体基板之中，与由其他材料形成的基板相比，氧化镓基板具有耐久性高、晶体生长容易等优点。然而，氧化镓基板仍处于研究阶段，特别是以基板平坦/平滑化为目的的研磨加工技术尚未确立。

因此，本发明的目的在于，提供在氧化镓基板的研磨中可以实现高研磨速率和高面品质的兼顾的研磨用组合物。相关其他目的在于，提供使用上述研磨用组合物的氧化镓基板的研磨方法及制造方法。

用于解决问题的方案

通过该说明书，提供氧化镓基板的研磨中使用的研磨用组合物。该研磨用组合物包含磨粒和水。通过使用所述研磨用组合物的研磨，可以提高对氧化镓基板的研磨速率，且可以实现良好的面品质。

此处公开的研磨用组合物优选的一个方式中，前述磨粒包含选自由二氧化硅及氧化铝组成的组中的至少一种。通过将二氧化硅、氧化铝用作磨粒，可以适宜地进行氧化镓基板的研磨。

此处公开的研磨用组合物优选的一个方式中，前述磨粒的平均一次粒径为5nm以上。利用包含具有这样的平均一次粒径的磨粒的研磨用组合物，易于使研磨速率提高。

此处公开的研磨用组合物优选的一个方式中，前述磨粒的平均一次粒径为1000nm以下。通过使用包含具有这样的平均一次粒径的磨粒的研磨用组合物的研磨，易于得到良好的面品质。

此处公开的研磨用组合物优选的一个方式中，前述磨粒的平均二次粒径为10nm以上。利用包含具有这样的平均二次粒径的磨粒的研磨用组合物，易于使研磨速率提高。

此处公开的研磨用组合物的一个优选方式中，前述磨粒的平均二次粒径为1500nm以下。通过使用包含具有这样的平均二次粒径的磨粒的研磨用组合物的研磨，易于得到良好的面品质。

此处公开的研磨用组合物优选的一个方式还包含酸。该酸可以作为用于pH调节等的成分而包含在研磨用组合物中。

另外，前述酸优选包含选自由硝酸、盐酸、氯酸及溴酸组成的组中的至少一种。通过使用包含这些酸的研磨用组合物的研磨，易于得到良好的面品质。

此处公开的研磨用组合物的一个优选方式中，研磨用组合物的pH为4.0以上且小于12.0。通过使用所述研磨用组合物的研磨，可以适宜地进行氧化镓基板的研磨。

此处公开的研磨用组合物的一些方式中，前述酸优选包含磷酸。例如，优选包含磷酸作为前述酸且pH为0.5以上且小于8的方式。通过使用所述研磨用组合物的研磨，可以适宜地进行氧化镓基板的研磨。