[发明专利]半导体装置的制造方法、热固性树脂组合物及切晶粘晶一体型膜

权利要求书

1.一种半导体装置的制造方法，其包括：

准备切晶粘晶一体型膜的工序，所述切晶粘晶一体型膜依次具备黏合层、压敏胶黏层及基材膜，所述黏合层由120℃下的熔融粘度为3100Pa·s以上的热固性树脂组合物形成；

将所述切晶粘晶一体型膜的所述黏合层侧的面与半导体晶圆贴合的工序；

切割所述半导体晶圆的工序；

通过扩张所述基材膜而获得将所述半导体晶圆及所述黏合层单片化而成的带黏合剂的半导体元件的工序；

自所述压敏胶黏层拾取所述带黏合剂的半导体元件的工序；

将所述带黏合剂的半导体元件，经由该带黏合剂的半导体元件的黏合剂而层叠于其他半导体元件的工序；以及

使所述黏合剂热固化的工序。

2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中，

所述黏合层的35℃下的储能模量为70MPa以上。

3.根据权利要求1或2所述的半导体装置的制造方法，其中，

通过隐形切割及刀片切割中的一种而将所述半导体晶圆单片化，并且在冷却条件下扩张所述基材膜。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体装置的制造方法，其中，

所述热固性树脂组合物含有热固性树脂、分子量为10万～100万的高分子量成分及填料，

且以所述热固性树脂组合物的总质量为基准，所述高分子量成分的含量为15质量％～66质量％。

5.根据权利要求4所述的半导体装置的制造方法，其中，

以所述热固性树脂组合物的总质量为基准，所述填料的含量为25质量％～45质量％。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的半导体装置的制造方法，其为制造三维NAND型存储器的方法。

7.一种热固性树脂组合物，其用于半导体装置的制造工艺中，

所述热固性树脂组合物的120℃下的熔融粘度为3100Pa·s以上。

8.根据权利要求7所述的热固性树脂组合物，其35℃下的储能模量为70MPa以上。

9.根据权利要求7或8所述的热固性树脂组合物，其含有热固性树脂、分子量为10万～100万的高分子量成分及填料，

且以该热固性树脂组合物的总质量为基准，所述高分子量成分的含量为15质量％～66质量％。

10.根据权利要求9所述的热固性树脂组合物，其中，

以该热固性树脂组合物的总质量为基准，所述填料的含量为25质量％～45质量％。

11.根据权利要求7至10中任一项所述的热固性树脂组合物，其用于三维NAND型存储器的制造工艺中。

12.一种切晶粘晶一体型膜，其具备：

压敏胶黏层；以及

由含权利要求7至11中任一项所述的热固性树脂组合物形成的黏合层。

13.根据权利要求12所述的切晶粘晶一体型膜，其中，

所述黏合层的厚度为3μm～40μm。