[发明专利]包括用于减小由导线接合引起的焊盘下损坏的力减轻系统的集成电路（IC）器件

权利要求书

1.一种形成硅管芯的方法，所述方法包括：

在衬底上方形成金属区域；

在所述金属区域上方形成非金属层；

在所述非金属层中形成多个开口；

在所述非金属层中的所述多个开口上方形成密封层，以在所述金属区域上方限定多个密封空隙；以及

在所述密封层上方形成导线接合焊盘。

2.根据权利要求1所述的方法，其中半导体器件形成在所述管芯的位于所述金属区域下方的区域中。

3.根据权利要求2所述的方法，其中所述半导体器件包括至少一个非静电敏感器件(非ESD)。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的方法，还包括：

在所述衬底上方形成电介质区域；以及

在所述衬底上方的所述电介质区域上或所述电介质区域中形成所述金属区域。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的方法，其中：

所述金属区域上方的所述非金属层包括氧化物电介质层；并且

在所述非金属层中形成多个开口包括在所述氧化物电介质层中形成多个通孔。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的方法，其中在所述非金属层中的所述多个开口上方形成密封层包括在所述多个开口上方形成非共形金属间电介质(IMD)层。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的方法，还包括在所述密封空隙上方形成钝化层。

8.根据权利要求1至7中任一项所述的方法，还包括将导线接合到所述导线接合焊盘。

9.根据权利要求1至8中任一项所述的方法，其中在所述非金属层中形成所述多个开口包括在所述非金属层中形成开口的二维阵列。

10.根据权利要求1至9中任一项所述的方法，还包括在所述密封层中或所述密封层上方形成至少一条金属线；

其中所述导线接合焊盘导电耦接到所述密封层中或所述密封层上方的所述至少一条金属线。

11.根据权利要求1至10中任一项所述的方法，还包括在所述密封空隙中产生局部真空。

12.一种硅管芯，包括：

衬底；

一个或多个导线接合区域，每个导线接合区域包括：

金属区域，所述金属区域位于所述衬底上方；

密封层，所述密封层位于所述非金属层上方；

力减轻层，所述力减轻层位于所述金属区域和所述密封层之间；

多个密封空隙，所述多个密封空隙限定在所述力减轻层中；和

导线接合焊盘，所述导线接合焊盘形成在所述密封层上方；和

一个或多个半导体器件，所述一个或多个半导体器件形成在所述管芯的在所述力减轻层和所述金属区域下方的区域中。

13.一种硅管芯，包括：

衬底；

导线接合焊盘；

一个或多个半导体器件，所述一个或多个半导体器件形成在所述导线接合焊盘下方；和

力减轻系统，所述力减轻系统位于所述导线接合焊盘下方和所述一个或多个半导体器件上方，所述力减轻系统包括：

金属冲击板区域；和

力减轻层，所述力减轻层在所述金属冲击板区域上方，所述力减轻层包括限定在非金属区域中的多个密封空隙。