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[发明专利]水分减少辊式输送机系统和方法-CN202280017861.3在审
发明人： K·C·威廉姆斯;C·A·惠勒;M·卡尔;B·陈;J·郭 -专利权人：纽卡斯尔大学
申请日： 2022-02-10 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： B06B1/16 文献下载
摘要：本发明提供了一种水分减少辊式传输机系统(100，200，301)和方法，该水分减少辊式传输机系统包括运载散装材料的连续运载带(105，205，308)和振荡运动组件(110，210，320)，该振荡运动组件可操作地连接并且被配置为引发该运载带的传输到该散装材料的振荡运动。该振荡运动组件(110)可操作地连接到该框架以引发该振荡运动。替代地，该振荡运动组件具有彼此偏移或偏心的惰辊(210a，210b，210c)以引发该振荡运动。不同的振荡运动组件包括用于支撑该带(308)的滑架主体(325)和用于接合导轨轨道(302)的轮(340，345)。该轮(340，345)被配置为优选地通过在该滑架移动时周期性地将该滑架主体的一端(360)从该导轨轨道提升来引发该振荡运动。
水分减少输送系统方法

[发明专利]作为HPK1抑制剂的异喹啉-CN201880033672.9有效
发明人： B·陈;J·德罗布尼克;L·加扎德;T·赫夫伦;J·梁;S·马尔霍特拉;R·门登卡;N·拉贾帕克萨;C·斯蒂瓦拉;J·泰利斯;W·王;B·魏;A·周;M·W·卡特赖特;M·兰奇伯里;E·甘西亚;E·西沃德;A·马丁;D·法沃;K·C·方;Y·胡;A·古德 -专利权人：豪夫迈·罗氏有限公司
申请日： 2018-03-30 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： C07D401/14 文献下载
摘要：描述了异喹啉化合物以及它们作为HPK1(造血激酶1)抑制剂的用途。所述化合物在治疗HPK1依赖性病症和增强免疫应答方面有用。亦描述了抑制HPK1的方法、治疗HPK1依赖性病症的方法、用于增强免疫应答的方法以及用于制备所述异喹啉化合物的方法。
作为 hpk1 抑制剂喹啉

[发明专利]用于通过施用抗MCL1抗体来监测癌症的材料和方法-CN202280008569.5在审
发明人： A·凯尔泽斯卡;B·陈;M·C·博伊尔 -专利权人：安进公司
申请日： 2022-01-28 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： A61K39/395 文献下载
摘要：本披露提供了任何形式的抗Mcl‑1抗体及其片段，该抗Mcl‑1抗体及其片段结合与Mcl‑1具有出乎意料的高结合的抗原，提供了可用于监测表达Mcl‑1的癌细胞的方法和治疗癌症的方法中的工具，特别是血源性癌症，包括此类癌细胞。
用于通过施用 mcl1 抗体监测癌症材料方法

[发明专利]冷却装置和包括该冷却装置的仪器-CN201880035922.2有效
发明人： B·陈;J·博特略;P·J·莫里斯罗 -专利权人：珀金埃尔默保健科学公司;珀金埃尔默保健科学加拿大公司
申请日： 2018-03-29 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H01J49/04 文献下载
摘要：本文描述的某些配置为包括被动冷却装置的仪器，该被动冷却装置部分地包括被配置为热耦合至待冷却仪器的部件的回路型热虹吸管。在一些情况下，冷却装置可以冷却仪器的晶体管、晶体管对、接口或其他部件。
冷却装置包括仪器

[发明专利]自动化的自修复数据库系统及实现其的方法-CN201880013123.5有效
发明人： B·陈;D·谭;J·柯林斯;S·乔;T·刘;于容进 -专利权人：硕动力公司
申请日： 2018-02-22 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： G06F11/16 文献下载
摘要：提供了一种自动化的自修复数据库系统，包括主数据库、在主数据库可用时向主数据库写入数据以及从主数据库读取数据的应用程序服务器、是主数据库的副本的备用数据库和自修复模块(SHM)。SHM可以自动地检测主数据库的不可用性，并且如果备用数据库是可用的，SHM可以自动地启用备用数据库为可读和可写，在主站点上为备用数据库分配主数据库的角色，以开始将数据复制到其他备用数据库，以及使用应用程序服务器和备用数据库之间预建立的的连接，以允许应用程序服务器从备用数据库读取数据并将数据写入备用数据库，从而导致备用数据库在主站点上充当主数据库的角色。
自动化修复数据库系统实现方法

[发明专利]具有用于保护浮动栅免受源注入影响的氧化物罩和间隔物层的存储器单元-CN201880051210.X有效
发明人： M·海玛斯;B·陈;G·斯托姆;J·沃尔斯 -专利权人：微芯片技术股份有限公司
申请日： 2018-09-26 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：一种形成存储器单元例如快闪存储器单元的方法可包括：(a)将多晶硅沉积在基板上方；(b)将掩模沉积在多晶硅上方；(c)在掩模中蚀刻开口以暴露多晶硅的表面；(d)在暴露的多晶硅表面处生长浮动栅氧化物；(e)将附加氧化物沉积在浮动栅氧化物上方，使得浮动栅氧化物和附加氧化物共同限定氧化物罩；(f)移除邻近氧化物罩的掩摸材料；(g)蚀刻掉未被氧化物罩覆盖的多晶硅的剩余部分，其中多晶硅的剩余部分限定浮动栅；以及(h)将间隔物层沉积在氧化物罩和浮动栅上方。间隔物层可包括在浮动栅的至少一个向上指向尖端区上方对齐的屏蔽区，这有助于保护此类尖端区免受随后源注入工艺的影响。
具有用于保护浮动免受注入影响氧化物间隔存储器单元

[发明专利]对FcγRIIA具有特异性的结合分子及其使用-CN201780041266.2有效
发明人： K·A·沃斯登;B·陈;G·P·西姆斯 -专利权人：维埃拉生物股份有限公司
申请日： 2017-04-28 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： C07K16/28 文献下载
摘要：本公开提供了FcγRIIA结合分子，例如，能够抑制FcγRIIA活性的人源化单克隆抗体，以及在例如治疗或预防炎性、免疫介导的或自身免疫疾病或紊乱中使用FcγRIIA结合分子的方法。
fc riia 具有特异性结合分子及其使用

[发明专利]微处理机存储指令的融合-CN202180060957.3在审
发明人： B·劳埃德;S·查德哈;D·阮;C·G·祖林;B·汤普托;S·莱文斯坦;P·威廉姆斯;R·考德斯;B·陈 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2021-07-07 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： G06F9/00 文献下载
摘要：提供了一种用于融合微处理器中的存储指令的方法。该方法包括识别微处理器的执行管线中的两条指令。该方法还包括确定两条指令满足融合准则。响应于确定两条指令满足融合准则，将两条指令重新编码成融合的指令。执行融合的指令。
微处理机存储指令融合

[发明专利]用于晶片键合的牺牲对齐环和自焊接过孔-CN201880016093.3有效
发明人： J·H·萨托;B·陈;W·伦迪 -专利权人：硅存储技术股份有限公司
申请日： 2018-03-15 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供了一种将第一基底键合到第二基底的方法，其中第一基底包括在第一基底的顶部表面上的第一电接触件，并且其中第二基底包括在第二基底的底部表面上的第二电接触件。该方法包括在第一基底的顶部表面上形成聚酰亚胺块，其中聚酰亚胺块具有圆形的上角，并且将第一基底的顶部表面和第二基底的底部表面朝彼此垂直移动，直至第一电接触件邻接第二电接触件，其中在移动期间，第二基底与聚酰亚胺的圆形的上角接触，致使第一基底和第二基底相对于彼此横向移动。
用于晶片牺牲对齐焊接

[发明专利]作为HPK1抑制剂的二氮杂萘类-CN201880034930.5有效
发明人： B·陈;B·丹尼尔斯;J·德罗布尼克;L·加扎德;T·赫夫伦;M·赫斯特斯;梁军;S·马尔霍特拉;R·门登卡;N·拉贾帕克萨;M·肖;C·斯蒂瓦拉;J·泰利斯;王炜如;魏斌清;周爱和;M·W·卡特赖特;E·甘西亚;G·琼斯;M·兰奇伯里;A·马丁;E·西沃德;D·法沃;K·C·方;胡永韩;A·古德;胡百华;陆爱军 -专利权人：豪夫迈·罗氏有限公司
申请日： 2018-03-30 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： C07D471/04 文献下载
摘要：本申请描述了二氮杂萘化合物以及它们作为HPK1抑制剂的用途。所述化合物可用于治疗HPK1依赖性病症和增强免疫应答。本申请也描述了抑制HPK1的方法、治疗HPK1依赖性病症的方法、增强免疫应答的方法和制备所述二氮杂萘化合物的方法。
作为 hpk1 抑制剂二氮杂萘类

[发明专利]作为HPK1抑制剂的氮杂吲哚类-CN201880017923.4有效
发明人： T·赫夫隆;S·马尔霍特拉;魏斌清;B·陈;L·加扎德;E·甘西亚;M·兰奇伯里;A·麦迪;E·西沃德;胡永韩 -专利权人：豪夫迈·罗氏有限公司
申请日： 2018-03-14 - 公布日： 2023-01-06 - 主分类号： C07D471/04 文献下载
摘要：本申请描述了氮杂吲哚化合物和它们作为HPK1抑制剂的用途。所述化合物可用于治疗HPK1依赖性病症和增强免疫应答。本申请还描述了抑制HPK1的方法、治疗HPK1依赖性病症的方法、增强免疫应答的方法和制备所述氮杂吲哚化合物的方法。
作为 hpk1 抑制剂吲哚

[发明专利]具有多材料齿状结构的集成电路接合焊盘-CN202180030150.5在审
发明人： J·萨托;B·陈;冷耀俭;G·马尔西科;J·科瓦茨 -专利权人：微芯片技术股份有限公司
申请日： 2021-02-16 - 公布日： 2022-12-23 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：一种集成电路器件可以包括多材料齿状接合焊盘(306、406、770、940、1102、1202)，该多材料齿状接合焊盘包括：(a)由第一材料形成的竖直延伸的齿状物(320、420、720、904、1110、1204)的阵列；以及(b)第二材料(填充材料)(322、422、760、930、1112、1206)，其至少部分地填充该齿状物(320、420、720、904、1110、1204)的阵列之间的空隙(724、906、1206)。该齿状物(320、420、720、904、1110、1204)可以通过沉积和蚀刻该第一材料来形成，并且该填充材料(322、422、760、930、1112、1206)可以沉积在该齿状物(320、420、720、904、1110、1204)的阵列上，并向下延伸到该齿状物(320、420、720、904、1110、1204)之间的该空隙(724、906、1206)中，并对其进行蚀刻以暴露该齿状物(320、420、720、904、1110、1204)的顶部表面。该齿状物(320、420、720、904、1110、1204)的阵列可以共同限定研磨结构。该多材料齿状接合焊盘(306、406、770、940、1102、1202)可以例如使用超声或热超声键合过程键合到另一接合焊盘(304、404、1142、1222)，在此期间研磨齿状物(320、420、720)可以使形成在相应接合焊盘(304、306、404、406、770)表面上的非期望原生氧化物层磨损、断裂或去除，从而形成该接合焊盘(304、306、404、406、770)之间的直接键合和/或共晶键合。该齿状物(320、420、720)可以包括氧化齿状物(324、424、754)，该氧化齿状物包括形成在每个齿状物(320、420、720)上的氧化物层(312、412、764)，其中在每个齿状物(320、420、720)上形成的该氧化物层(312、412、764)可以限定该研磨结构。该齿状物(720)可以包括在该齿状物(720)的暴露表面处的硅节结。可以执行粗糙化过程以增加该齿状物(320、324、420、424、720、754)的表面粗糙度。该集成电路器件可以包括内插器(203、402、700、900、1100、1200)和/或集成电路裸片(300、400a、400b、1140a、1140b、1220)。该第一材料可以包含铝，并且该第二材料(322、422、760、930、1112、1206)可以包含银。另选地，该第一材料可以包含硅。被配置为与齿状接合焊盘(1102)键合的接合焊盘(1142)可以具有被设计成进一步改进与该齿状接合焊盘(1102)的键合的三维形状，例如，包括被配置为接纳该齿状接合焊盘(1102)的该齿状物(1110)的凹槽或其他几何形状的三维形状；特别地，每个接合焊盘(1142)可以包括多个凸起(1144)，其限定被配置为接纳该齿状物(1110)的开口或空隙(1146)，其中该凸起(1144)可以是锥形的、圆形的或以其他方式被配置为促进每个接合焊盘(1142)与对应接合焊盘(1102)的自对准。金属凸块(例如，金柱头凸块(1230))可以施加到与该多材料齿状接合焊盘(1202)接合的该接合焊盘(1222)，其中该多材料齿状接合焊盘(1202)可以由底填充区域(1210)(例如，包含环氧树脂)完全覆盖。
具有材料齿状结构集成电路接合

[发明专利]用于手术器械的可调节加强器-CN202080085952.1在审
发明人： B·陈;J·Y·全;J·R·安德伍德 -专利权人：爱尔康公司
申请日： 2020-12-09 - 公布日： 2022-07-22 - 主分类号： A61F9/007 文献下载
摘要：本披露内容总体上涉及具有可变刚度的显微手术器械，例如用于眼科外科手术的具有可变刚度的显微手术器械。在一个实施例中，手术器械包括探针和加强器组件。加强器组件进一步包括加强器，该加强器由中空管状构件形成，该中空管状构件基本上围绕探针的至少一部分长度。加强器的沿探针长度的致动调节探针的刚度，从而为用户提供对手术器械的更好控制。
用于手术器械调节加强

[发明专利]用于图像帧冻结检测的方法及装置-CN202080086318.X在审
发明人： N·南丹;B·陈;M·莫迪;R·R·阿鲁 -专利权人：德克萨斯仪器股份有限公司
申请日： 2020-10-30 - 公布日： 2022-07-22 - 主分类号： G06T1/20 文献下载
摘要：描述了用于图像帧冻结检测的方法、装置、系统和制品。示例硬件加速器(204)包括核逻辑电路(208)，其基于与第一图像帧相关联的第一图像数据生成第二图像数据，第二图像数据对应于经处理的图像数据、变换的图像数据、或一个或多个图像数据统计量；加载/存储引擎(LSE)(206)，其耦合到核逻辑电路，LSE基于从核逻辑电路获取的第二图像数据确定第一CRC值，以及第一接口(230)，其耦合到第二接口(224)，第二接口耦合到存储器(212)，第一接口将从存储器获取的第一CRC值传输到主机设备(214A；214B)。
用于图像冻结检测方法装置

[发明专利]集成电路封装内插器的背面互连-CN202180006872.7在审
发明人： J·萨托;冷耀俭;B·陈;C·桑达尔 -专利权人：微芯片技术股份有限公司
申请日： 2021-01-12 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：提供了用于形成被配置用于背面附接的集成电路(IC)封装内插器的方法。多孔硅双层形成在体硅晶片上，例如，使用受控阳极化，该多孔硅双层包括具有不同孔隙率的两个多孔硅层。内插器形成在该多孔硅双层上方，该内插器包括背面触点、正面触点和延伸穿过该内插器的导电结构(例如，通孔和金属互连件)，以连接所选背面触点与所选正面触点。然后将该结构在该硅双层的第一多孔硅层与第二多孔硅层之间的界面处分割，并且将包括该第二多孔硅层的内插器倒置并蚀刻，以去除该第二硅层并露出该背面触点，使得所露出的背面触点可用于背面附接该内插器与封装基板或其它结构。
集成电路封装内插背面互连

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