[发明专利]用于半导体电路连接的粘合剂组合物和包含其的粘合剂膜有效
| 申请号: | 201980018102.7 | 申请日: | 2019-10-22 |
| 公开(公告)号: | CN111836840B | 公开(公告)日: | 2022-04-15 |
| 发明(设计)人: | 金荣三;金丁鹤;金柱贤;李光珠 | 申请(专利权)人: | 株式会社LG化学 |
| 主分类号: | C08F220/36 | 分类号: | C08F220/36;C08F220/34;C07D403/12;C09J161/06;C09D163/00;C09D133/14;C09D11/04;C09D11/06;C09D11/08;C09J7/10;C09J7/30;H01L23/29 |
| 代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 梁笑;吴娟 |
| 地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 用于 半导体 电路 连接 粘合剂 组合 包含 | ||
本公开内容涉及具有特定结构的聚合物化合物、用于接合半导体的树脂组合物和使用其生产的半导体用粘合剂膜,所述聚合物化合物包含具有能够相互氢键合的官能团的丙烯酸类树脂、和具有咪唑的丙烯酸类树脂,所述用于接合半导体的树脂组合物包含热塑性树脂、热固性树脂、固化剂、和具有特定结构的聚合物化合物。
技术领域
相关申请的交叉引用
本申请要求于2018年10月23日向韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2018-0126662号的优先权或权益,其公开内容通过引用整体并入本文。
本公开内容涉及用于半导体电路连接的粘合剂组合物和包含其的粘合剂膜。
背景技术
近年来,随着电子设备朝向小型化、高功能化和大容量化的趋势不断扩大,并且对于半导体封装的致密化和高集成度的需求迅速增加,半导体芯片的尺寸变得越来越大。就改善集成度方面而言,用于以多阶段堆叠芯片的堆叠封装方法逐渐增多。
另外,近来,已经开发了使用硅通孔(through silicon via,TSV)的半导体,并且已经进行了通过凸块接合(bump bonding)的信号传输。对于这样的凸块接合,主要应用热压接合技术。在本文中,热压接合技术中的粘合剂的热固化特性影响封装制造可加工性和封装可靠性。
已经开发了糊料形式的非导电糊料(non-conductive paste,NCP)作为用于在各个TSV层之间进行填充的粘合剂,但是存在的问题是,凸块的间距变窄并且填充变得更加困难。为了克服这些问题,已经开发了以膜形式提供的非导电膜(non-conductive film,NCF)。
在用于凸块接合的热压接合期间,粘合剂必须在高温下快速地固化,必须在室温下抑制固化,并且储存稳定性应当良好。在这样的粘合剂中,催化剂在调节固化程度中起重要作用,并且已经开发了用于该目的的热潜伏性催化剂。
为此,作为广泛使用的催化剂的咪唑型在溶剂与树脂制剂之间具有差的相容性,因此,存在的缺点在于:粘合剂膜的表面条件差,难以通过温度区间调节反应性,并且在室温下发生微反应。
发明内容
技术问题
本公开内容的一个目的是提供用于半导体电路连接的粘合剂组合物,所述粘合剂组合物通过使用特定的聚合物树脂作为用于接合半导体的树脂组合物的潜伏性催化剂,能够调节低温和室温稳定性以及高温催化剂活性。
本公开内容的另一个目的是提供包含前述用于半导体电路连接的粘合剂组合物的粘合剂膜。
技术方案
本公开内容的一方面提供了由以下化学式1表示的化合物:
[化学式1]
其中,在化学式1中,
R和R’各自独立地为氢、具有1至10个碳原子的烷基、具有6至20个碳原子的芳基或具有3至8个碳原子的环状烃基,其中在R和R’中,烷基、芳基或环状烃基可以各自独立地具有杂原子,
每个x独立地为1至50,
每个y独立地为1至100,以及
每个z独立地为1至4。
更具体地,在化学式1中,R为氢,x为1至6,y为8至10,以及z可以为1至4。
本公开内容的另一方面提供了用于制备化学式1的化合物的方法,所述方法包括使以下化学式2的化合物与以下化学式3的化合物反应:
[化学式2]
[化学式3]
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